Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет" (RU)
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет" (RU) является правообладателем следующих патентов:

Способ каталитического пиролиза отходов полиэтилентерефталата с получением бензойной кислоты
Изобретение относится к способу каталитического пиролиза отходов полиэтилентерефталата с получением бензойной кислоты. Способ включает нагрев смеси измельченных отходов полиэтилентерефталата и катализатора, конденсацию образующейся бензойной кислоты и ее последующее выделение. Нагрев осуществляют при атмосферном давлении, без доступа кислорода воздуха, при температуре 250-350°С в течение 1 часа 2...
2433115
Способ формирования объектов на поверхности материалов фокусированным ионным пучком
Изобретение относится к области радиационно-пучковых технологий создания на поверхности материалов объектов с заданными геометрическими параметрами и может применяться для изменения свойств и геометрических характеристик поверхности объектов наноэлектроники. Сущность изобретения: на поверхности материалов фокусированным ионным пучком формируют объект с заданными геометрическими параметрами. Предв...
2457573
Способ формирования эпитаксиальных пленок кобальта на поверхности полупроводниковых подложек
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к методам создания ультратонких магнитных эпитаксиальных пленок на полупроводниковых подложках, и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Сущность изобретения: способ формирования эпитаксиальных пленок кобальта на поверхности полупроводниковых подложек включает нанесение буферного подслоя меди на атомарно...
2465670
Способ получения мембран на основе оксида алюминия
Изобретение относится к области изготовления мембран и может быть использовано в нанотехнологии при производстве различных фильтров, темплатов для получения мембранных нанокатализаторов, производства капиллярных насосов, больших массивов углеродных нанотрубок, нанопроволок и других наноструктур. Способ получения мембран на основе оксида алюминия осуществляют следующим образом. Подготовленный обра...
2474466
Способ формирования наноразмерных структур на поверхности полупроводников для использования в микроэлектронике
Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Сущность изобретения: способ формирования наноразмерных структур на поверхности полупроводников для использования в микроэлектронике включает формирование буферного слоя золота моноатомной толщины с образованием упорядоченного двумерного подслоя Si(111)-α√3...
2475884
Полиборфенилсилоксаны и способ их получения
Изобретение относится к полиборфенилсилоксанам и способу их получения. Предложены полиборфенилсилоксаны с общей формулой [(C6H5SiO1.5)x(BO1.5)]n, содержащие повторяющиеся звенья: где х - от 2,0 до 3,6; n - ≥17. Предложен также способ получения указанных полиборфенилсилоксанов, включающий взаимодействие кремнийорганического соединения с борной кислотой, отличающийся тем, что в качестве кремни...
2483085
Металлоксидный электрод, способ его получения и применение
Изобретение относится к химическим производствам, в частности к металлоксидному электроду, технологии его изготовления и применению в аналитической химии. Электрод представляет собой основу из титана или его сплавов с покрытием из оксидов титана, сформированным методом плазменно-электролитического оксидирования, на которое методом термического разложения платинохлорводородной кислоты нанесены на...
2487198