Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" (RU)

Изобретение относится к области измерительной техники, радиолокации и связи. Достигаемый технический результат - повышение частотного разрешения и спектральной чистоты выходного сигнала. Синтезатор частот содержит опорный генератор, выход которого соединен с входом умножителя частоты высокой кратности, выход которого соединен с входом дополнительного умножителя частоты и с первым входом преобра...

Способ относится к областям радиотехники и радиоизмерений и может быть использован для определения искажений, возникающих при прохождении полосовых сигналов произвольной формы через нелинейные устройства. Способ включает воздействие на объект тестовым сигналом. Затем принимают от объекта выходной сигнал. Сравнивают тестовый сигнал с выходным сигналом посредством определения коэффициента пропорци...

Изобретение относится к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединении AIIIBV, в частности к созданию сверхвысокочастотных транзисторов, в которых минимизировано содержание драгоценных металлов. Изобретение обеспечивает повышение надежности работы за счет увеличения термической стабильности параметров устройства. Сверхвысокочастотный транзистор, выполнен...

Группа изобретений относится к метрологии. Установка измерения экранного затухания содержит измерительную экранированную камеру, генератор и приемник. При этом камера образована двумя рупорами, расположенными на горизонтальной плоскости, между которыми установлена соединительная рамка из металлической полосы. В рамке выполнены боковые прорези, через которые проходят два СВЧ кабеля, подключаемые...

Группа изобретений относится к области радиовидения и может быть использована при проектировании радиотехнических систем. Достигаемый технический результат - снижение уровня помех на выходе отдельного канала формирования радиоголограммы без качественного увеличения его стоимости. Указанный результат достигается за счет разноса частот электромагнитной волны W1, которой облучают объект, и электро...

Изобретение относится к полупроводниковым электронным приборам. В полупроводниковом диоде на полупроводниковой GaAs подложке расположены катодный слой, обедненный слой, барьерный слой, обедненный узкозонный слой, анодный узкозоный слой, анодный слой. Металлизированный катодный контакт с омическим сопротивлением сформирован к катодному слою. Металлизированный анодный контакт с омическим сопротивл...

Группа изобретений относится к области радиоэлектроники и системам управления и может быть использована для регулирования уровня выходного сигнала генераторов в широком частотном диапазоне. Техническим результатом является обеспечение гибкой настройки закона управления в регуляторе, а также обеспечение внесения корректирующих параметров. Система для реализации способа состоит из аналоговой и циф...