Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (RU)

Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в интегральных логических устройствах на комплементарных униполярных полевых транзисторах структуры металл-окисел-полупроводник (МОП) с индуцированными каналами p и n типов проводимости и биполярных транзисторах n-p-n и p-n-p структур. Техническим результатом является повышение надежности за счет снижения паразитных емкостей б...

Изобретение относится к области измерений температуры тонких поверхностных слоев, в частности пористого диэлектрического слоя в химической промышленности (катализ), при изготовлении оптических и химических сенсоров, а так же в процессе криогенного травления диэлектриков в технологии микроэлектроники. Заявлен бесконтактный способ измерения температуры пористого слоя, характеризующийся тем, что те...

Изобретение относится к области технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем. В способе формирования системы многоуровневой металлизации для высокотемпературных интегральных микросхем, включающем операции нанесения диэлектрических и металлических слоев, фотолитографию и травление канавок в этих слоях, нанесение барьерного и зародышевого слоев, нанесение с...

Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в интегральных микросхемах на комплементарных транзисторах структуры металл-диэлектрик-полупроводник (КМДП). Технический результат, заключающийся в повышении стабильности вырабатываемого тока по напряжению питания, достигается введением в устройство четвертого и пятого МДП-транзисторов (5 и 6) с индуцированным каналом первого ти...

Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов и сверхбольших интегральных схем на основе кремниевой подложки с использованием скрытого диэлектрика (КНИ), предназначенных для использования в средах с максимальной температурой до 250°С. Сущность изобретения: способ изготовления высокотемпературных КМОП КНИ интегральных схем, включающий операции формирования облас...

Изобретение относится к области устройств энергонезависимой памяти на основе явления сегнетоэлектричества с деструктивным считыванием, к которому предъявляются жесткие требования к ресурсу, времени хранения информации и энергоемкости. В основе изобретения - ячейка сегнетоэлектрической памяти. Техническим результатом данного изобретения является создание ячейки сегнетоэлектрической памяти с упрощен...