КРОКУС ТЕКНОЛОДЖИ СА (FR)

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потребляемой мощности при записи в запоминающее устройство. Способ записи в запоминающее устройство, содержащее множество ячеек магниторезистивной оперативной памяти (MRAM), причем каждая ячейка MRAM, которая должна быть записана в процессе записи с использованием технологии (TAS) термического переключ...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потерь тепла в магнитном туннельном переходе. Магнитный элемент, записываемый с использованием операции записи с термическим переключением, содержит магнитный туннельный переход, образованный туннельным барьером, расположенным между первым и вторым магнитными слоями, причем второй магнитный слой имеет...

Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (МОЗУ), содержит магнитный туннельный переход, содержащий туннельный барьерный слой между первым магнитным слоем, имеющим первое направление намагниченности, и вторым магнитным слоем, имеющим второе направление намагниченности, который является регулируемым от первого направления до второго направления таким образом, чтобы изменять сопротив...

Настоящее изобретение предлагает магнитный элемент (1) памяти, пригодный для операции записи с термическим переключением, содержащий линию (4) тока в электрическом сообщении с одним концом магнитного туннельного перехода (2), где магнитный туннельный переход (2) содержит: первый ферромагнитный слой (21), имеющий фиксированную намагниченность; второй ферромагнитный слой (23), имеющий намагниченно...

Использование: для использования в качестве троичной ассоциативной памяти. Сущность изобретения заключается в том, что ячейка магнитной оперативной памяти (MRAM) включает в себя первый туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика, имеющим свободную намагниченность, и первым слоем твердого ферромагнетика, имеющим первую намагниченность хранения; второй туннельный барь...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении срока службы магнитного элемента за счет снижения тока нагрева, требуемого для нагрева магнитного элемента. Многоуровневый магнитный элемент содержит первый туннельный барьерный слой между чувствительным слоем, имеющим намагниченность, которая может быть свободно выстроена, и первым запоминающим слоем,...

Изобретение относится к области электроники, а именно к способу записи и считывания более чем двух битов данных для ячейки магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM). Ячейка MRAM содержит магнитный туннельный переход, образованный из магнитного слоя считывания, имеющего намагниченность считывания, и запоминающий слой, содержащий первый запоминающий ферромагнитный слой, имеющий перву...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокого туннельного магнитосопротивления, равного или большего 150%. Способ для изготовления магнитного туннельного перехода, записываемого спин-поляризованным током, и содержащего туннельный барьерный слой между первым ферромагнитным слоем, имеющим первую намагниченность с фиксированной ориентацией,...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении величины спин-поляризованного записывающего тока при магнитосопротивлении 100% или больше. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства содержит магнитный туннельный переход, содержащий верхний электрод; первый ферромагнитный слой, имеющий первое направление намагниченности; второй ферромагнит...

Изобретение относится к области обработки информации. Технический результат - обеспечение возможности внесения исправлений в конкретные инструкции ассемблирования или их группы без увеличения объема кода или замедления выполнения программы, когда исправления не внесены. Устройство обработки информации, содержащее постоянное запоминающее устройство, включающее в себя выполняемые инструкции или да...

Изобретение относится к принятию контрмер против атак по сторонним каналам. Технический результат - эффективное обеспечение защиты против атак по сторонним каналам за счет использования функции сопоставления по месту. Способ принятия контрмер против атак по сторонним каналам, при этом способ содержит исполнение алгоритма блочного шифра, чтобы маскировать промежуточные переменные, при этом алгори...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении эффективности нагрева магнитного туннельного перехода при минимизации рисков пробоя и старения туннельных барьерных слоев. Элемент магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM), подходящий для операции термической записи и для операции самоотносимого чтения, содержит область магнитного туннел...

Изобретение относится к электротехнике. Технический результат состоит в уменьшении дефектности и повышении напряжения пробоя. Способ изготовления магнитного туннельного перехода для ячейки магнитной оперативной памяти (MRAM), содержащего первый ферромагнитный слой, туннельный барьерный слой и второй ферромагнитный слой, содержит: образование первого ферромагнитного слоя; образование туннельного...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении записи и считывания ячейки MRAM с использованием слабого поля записи/считывания. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM) содержит магнитный туннельный переход, содержащий запоминающий слой, имеющий результирующую намагниченность запоминания, которая является регулируемой от перв...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении пониженного тока поля. Способ для записи в ячейку оперативной памяти (MRAM) с использованием термической операции записи, содержащую магнитный туннельный переход, образованный из слоя запоминания, обладающего намагниченностью запоминания; опорного слоя, обладающего опорной намагниченностью, и туннельн...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении низкого потребления питания и увеличенной скорости при записи и чтении ячейки памяти. Элемент оперативной памяти (MRAM) содержит магнитный туннельный переход, содержащий: запоминающий слой; слой считывания; и туннельный барьерный слой, заключенный между запоминающим слоем и слоем считывания; причем за...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в понижении потребления электроэнергии и улучшении рассеивания переключающего поля. Ячейка магнитной памяти с произвольным доступом (MRAM) содержит туннельный магнитный переход, содержащий первый ферромагнитный слой, второй ферромагнитный слой, имеющий вторую намагниченность, которая может быть ориентирована относи...