федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики" (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. В интегральном логическом элементе ИЛИ-НЕ на основе однослойной трехмерной наноструктуры, содержащем первый и второй логические транзисторы, нагрузочный резистор и подложку, логическая структура выполнена наноразмерно...

Использование: для создания интегральных схем памяти с элементами нанометровых размеров. Сущность изобретения заключается в том, что бистабильная ячейка памяти на базе однослойной наноструктуры, имеющая горизонтально ориентированные слои, содержит диэлектрическую подложку, размещенные на диэлектрической подложке первый, второй логические транзисторы, первый, второй нагрузочные диоды и выполнена н...

Изобретение относится к области электроники, в частности к охлаждению теплонапряженных компонентов электронных приборов, включая гаджеты (айфон, айпэд, планшет и т.п. мобильные устройства) и компьютеры, и может быть использовано для обеспечения эффективного отвода тепла от теплонапряженной интегральной микросхемы процессора, установленного на материнской печатной плате мобильного устройства либо п...