ХИТРОНИКС (US)

Использование: изобретение относится к термочувствительным схемам и структурам, где в качестве термочувствительного устройства используют SiC, AlN и/или AlxGa1-xN (x>0,69). Сущность изобретения: один из представленных вариантов схемной структуры содержит керамический кристалл, электропроводящий монтажный слой на указанном кристалле и схемное устройство, содержащее SiC, AlN и/или AlxGa1-xN (x>...

Применение: для соединения керамических, полупроводниковых и металлических материалов друг с другом. Сущность изобретения: для закрепления различных элементов предложено использовать прореагировавшую боросиликатную смесь. Техническим результатом изобретения является прочное скрепление элементов на подложке при повышенных температурах и герметизация для защиты от вредных окружающих сред. 4 с. и 6 з...

Использование: для регистрации (измерения) электромагнитного излучения и бесконтрастного измерения температуры с помощью монокристалла карбида кремния. Технический результат изобретения: эксплуатационная надежность за счет высокостабильной работы при высоких температурах и большой скорости нарастания температуры. Сущность: монокристалл SiC толщиной по меньшей мере 200 мкм применяют для регистрации...

Изобретение относится к чувствительным системам. Чувствительная система имеет подложку (4) из AlN, слой (2) W на этой подложке, источник сигнала, предназначенный для подачи электрического возбуждающего сигнала на слой W и датчик, предназначенный для восприятия отклика слоя W. Слой W может содержать тонкую пленку с различными типами защитных слоев поверх этой пленки. Система воспринимает температур...

В массовом расходомере для определения расхода текучей среды использованы четыре раздельных датчика температуры в виде чипов. Каждый датчик может представлять собой полупроводниковый чип из SiC или кремния, или тонкую вольфрамовую пленку на подложке AlN. Датчики могут располагаться симметрично относительно трубопровода, по которому движется текучая среда, и собраны по мостовой схеме. Нагрев текуче...