Колесников Александр Игоревич (RU)

Изобретение может быть использовано в ИК-оптике. Сущность изобретения: способ включает выращивание монокристаллов германия из расплава на затравку и последующую термообработку, причем операцию их термообработки проводят без извлечения монокристаллов из установки выращивания при температуре в пределах 1140-1200 К в течение 60-100 часов в температурном поле с направленным по радиусу градиентом темпе...

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов германия. Сущность изобретения: монокристаллы германия выращивают из расплава на затравочный кристалл с использованием формообразователя с находящимся внутри него расплавом, имеющего отверстия для удаления образующегося при кристаллизации избыточного расплава. Вначале на вращающемся затравочном кристалле осуществляют разращивание кристалл...

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов парателлурита из расплава методом Чохральского. Выращивание осуществляют из неподвижного тигля с программированием скоростей вытягивания и вращения затравки, при этом после выхода на требуемый диаметр вытягивание цилиндрической части кристалла осуществляют при скоростях вращения, соответствующих диапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, расс...