Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников СО РАН (RU)

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в системах теплоснабжения для измерения тепловых потоков жидкости или газа. Датчик содержит сигнальную катушку и последовательно установленные по оси турбинки теплосиловой элемент, первую опору оси турбинки, турбинку, возвратную пружину, вторую опору оси турбинки. Теплосиловой элемент выполнен в виде корпуса, заполненного рабо...

Использование: в полупроводниковой технике, в процессе создания элементной базы микро-, микрофото-, опто- и наноэлектроники, силовой электроники, сенсорной микроэлектроники, а также при изготовлении многослойных полупроводниковых структур, в частности структур типа кремний на кремнии и кремний-на-изоляторе (КНИ). Сущность изобретения: в способе беспустотного сращивания подложек одинаковые или отли...

Использование: в полупроводниковой технике для интеграции электронных материалов в полупроводниковой, электронной, сверхпроводниковой, оптической и электротехнической технологиях. Сущность изобретения: в способе изготовления гетероструктуры в рабочую пластину осуществляют введение водорода, проводят химическую обработку рабочей пластины, рабочую пластину и подложку соединяют, сращивают и расслаива...

Использование: наноэлектроника и микроэлектроника, в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах в качестве быстродействующих усилителей для средств широкополосной цифровой мобильной связи, а также для построения микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Сущность изобретения: в полевом нанотранзисторе, содержащем слой полупроводникового материала, в котором выполнен проводящий канал, сло...