ГОУ Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU)

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к технологии изготовления интегральной схемы на кремнии. Сущность изобретения: способ включает формирование на подложке активных областей приборов, маскирование, вскрытие контактных окон к активным областям, формирование системы металлизации, содержащей аморфный металлид, который обладает отрицательной теплотой смешения, а его компонен...

Использование: микро- и наноэлектроника, микро- и наномеханика, где используются изолированные диэлектриком проводники. Сущность изобретения: в способе заполнения в твердом теле углублений проводящим материалом, включающем нанесение на поверхность твердого тела, дно и боковые стенки указанных углублений первого слоя, который является барьерным материалом, предотвращающим диффузию указанного провод...

Использование: в области криоэлектроники, для создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: датчик слабого магнитного поля содержит диэлектрическую подложку из сапфира и магниточувствительный элемент, в качестве которого использована гетероэпитаксиальная ниобиевая пленка. Техническим результатом заявленного изобретения является понижение пороговой чувствит...

Использование: в кремниевой технологии для получения структур полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе газофазного наращивания эпитаксиальных слоев кремния в каждом ряду подложек создают температурный градиент, при котором верхняя часть подложек каждого ряда нагрета на 10 К меньше, чем нижняя, рост ведется при температуре, на 10-20 К меньшей, чем температура предварительного тра...