Принц Александр Викторович (RU)

Использование: изобретение может быть использовано в области полупроводниковой техники при изготовлении интегральных схем, полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле и их частей. Техническим результатом изобретения является изготовление полупроводниковых приборов, где в одной схеме сочетаются приборные структуры, расположенные на разных локальных подложках, т.е. совмещение на одном чи...

Изобретение относится к нанотехнологии, изготовлению наноструктур, а именно к способам производства нановолокон. Сущность изобретения: в способе изготовления нановолокон на подложке формируют многослойную структуру, содержащую, по крайней мере, один жертвенный слой и пленочную структуру из вещества, предназначенного для формирования волокон, разделенную на узкие полоски, селективно удаляют жертвен...

Изобретение относится к микроэлектронике, наноэлектронике, полупроводниковой технике, к способам изготовления элементов квантовых приборов, структур с квантовыми эффектами. Сущность изобретения: способ изготовления квантовых объектов: точек, проволок и элементов квантовых приборов включает выращивание напряженной пленки из материала, имеющего постоянную кристаллической решетки, большую, чем матери...