Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (RU)

Изобретение относится к пищевой промышленности и касается получения спирта этилового ректификованного. Способ предусматривает эпюрацию бражного дистиллята в эпюрационной колонне в режиме гидроселекции с использованием воды, подаваемой на 32-ю тарелку в количестве, обеспечивающем отбор эпюрата с содержанием объемной доли спирта в диапазоне от 15% до 25%. Эпюрат из эпюрационной колонны подают на 16-...

Изобретение относится к спиртовой промышленности. Способ предусматривает получение спирта на брагоректификационной установке, включающей бражную, эпюрационную и ректификационную колонны. Эпюрацию осуществляют в режиме гидроселекции путём подачи на 34-ю тарелку эпюрационной колонны лютерной воды в количестве, обеспечивающем объемную долю этилового спирта в эпюрате 20-22%, эпюрат подают на тарелку п...

Устройство для дистанционного контроля влажности пиломатериала содержит датчик с тремя игольчатыми электродами, расположенными на ломаной линии в виде прямого угла, образуя пары игольчатых электродов, одна из которых предназначена для установки вдоль волокон, а другая - поперек волокон пиломатериала, и измерительный блок с индикацией. Согласно изобретению в него дополнительно введено две системы п...

Изобретение может найти применение в промышленности строительных материалов при изготовлении блочного и монолитного бетона. Композиция для получения строительных материалов содержит цемент, песок, воду и углеродный наноматериал - сажу, полученную электродуговым методом и содержащую 7% углеродных нанотрубок, при следующем соотношении компонентов, мас.%: цемент - 20-30, песок - 50-70, указанный угле...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является формирование пленки карбида кремния кубического политипа на поверхности кремниевой подложки, а также снижение внутренних напряжений, а следовательно, уменьшение поверхностной концентрации дефектов. Сущность изобр...