Кри, Инк. (US)

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения були нитрида элемента III-V групп для создания микроэлектронных устройств на подложках, изготовленных из такой були. Сущность изобретения: булю нитрида элемента III-V группы можно получить путем выращивания материала нитрида элемента III-V группы на соответствующем кристалле-затравке из такого же материала нитрида эле...

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является повышение светоотдачи вблизи цоколя светодиодной лампы без блокирования излучения в боковых направлениях. Твердотельное осветительное устройство содержит теплоотвод, имеющий первый конец, расположенный вблизи цокольного конца, и второй конец, расположенный между первым концом и твердотельным излучателем, при этом шири...

Модуль излучателя света содержит подложку, кристалл излучателя света, установленный на подложке, при этом отношение ширины кристалла к ширине подложки составляет 0,35 или более, и линзу над кристаллом излучателя света, причем отношение ширины кристалла к ширине линзы составляет 0,5 или более. Согласно изобретению предложены еще три варианта модулей излучателей света и конструкция модуля светодио...