ЛАМ РИСЁРЧ КОРПОРЕЙШН (US)

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Объектами изобретения являются способ и устройство для травления диэлектрика, удаления маски для травления и очистки камеры травления. В камере травления 40 размещают полупроводниковую пластину 56. Выполненный на полупроводниковой пластине диэлектрик 58 подвергают травлению, используя локальную плазму, полученную с помощью сп...

Использование: для получения структур плазменным травлением через маску. Сущность изобретения: способ травления слоя над подложкой через маску предусматривает циклический процесс модуляции газов на протяжении более чем трех циклов. Каждый цикл содержит этап выполнения операции формирования защитного слоя с использованием первого газообразного реагента с исходным газообразным реагентом, продолжител...