Берлин Евгений Владимирович (RU)

Изобретения относятся к плазменной технологии, в частности к способу и устройству для нанесения металлического покрытия на диэлектрическую подложку, и могут быть использованы для металлизации, размер области которой занимает небольшую часть общей поверхности подложки, элементов микромеханики, фильтров, линии задержки, интегральных микросхем и печатных плат. Способ заключается в катодном распылении...

Изобретения относятся к области изделий интегральной электроники, работающих на частотах свыше 100 МГц. СВЧ гибридная интегральная схема (ГИС) содержит диэлектрическую подложку с нанесенной на нее металлизацией, состоящей из двух слоев - адгезионного подслоя и слоя металла с высокой проводимостью. Адгезионный подслой выполнен из диэлектрического материала толщиной 0,02-0,5 мкм. В качестве адгезион...

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для обработки материалов в среде низкотемпературной плазмы газового разряда, а именно к индукционным генераторам плазмы, размещаемым внутри технологического объема (рабочей камеры). Технический результат - повышение КПД устройства; повышение надежности работы устройства, повышение чистоты плазменной среды и увеличение плотности генерируемой пл...