ФОНД ПОДДЕРЖКИ НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ (RU)

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления изделия. Сущность изобретения: в способе изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности, включающем синтез пленки карбида крем...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления изделия. Сущность изобретения: в способе изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности, включающем синтез пленки карбида крем...

Изобретение относится к области получения материалов оптоэлектроники и гелиотехники, а точнее фоточувствительных твердотельных полупроводниковых гетероструктур. Сущность изобретения: в способе получения фоточувствительной структуры, содержащей пластину из монокристаллического кремния p-типа, фронтальный слой n-типа и p-n гетеропереход, включающем совместный нагрев подложки из монокристаллического...