Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к области производства монокристаллов и может быть использовано, преимущественно, при выращивании высокотемпературных монокристаллов из расплава в установках горизонтальной направленной кристаллизации. Сущность изобретения: положение фронта кристаллизации осуществляют по изменениям контраста яркости теплового излучения системы расплав-кристалл, проходящего через формирователь...

Использование: для управления пространственным положением рентгеновского пучка. Сущность: заключается в том, что управление угловым положением рентгеновского пучка осуществляется с помощью последовательного отражения предварительно монохроматизированного пучка синхротронного излучения от двух зеркал с цилиндрической и плоской поверхностями и вращения второго зеркала вокруг оси, нормальной к плоско...

Изобретение относится к области выращивания кристаллов белков и может быть использовано для исследования процессов кристаллизации и получения монокристаллов белков, в частности в условиях микрогравитации на борту орбитальной космической станции. Устройство для кристаллизации содержит кристаллизационную камеру с размещенными в ней камерой осадителя и камерой кристаллизационных ячеек, механизм запус...

Изобретение относится к технологии производства кристаллов теллурида кадмия, которые могут быть использованы в радиолокационной технике, а также для изготовления элементов инфракрасной оптики. Способ изготовления монокристалла теллурида кадмия заключается в загрузке поликристаллической заготовки в тигель, герметизации и последующем вакуумировании тигля, расплавлении заготовки, охлаждении полученно...

Изобретение относится к установкам для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов и может быть использовано, например, для выращивания монокристаллов сапфира или граната. Установка для выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов содержит камеру роста, соединенную с секцией загрузки и приемной секцией, между которыми перемещается контейнер, размещенную внутри камеры роста нагревательную сист...