1105946 - Способ изготовления тонкопленочных терморезисторов

Способ изготовления тонкопленочных терморезисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, включающий нанесение на непроводящую подложку пленки из термочувствительного материала на оксидов металлов высокочастотным магнетронньм распылением и пленочных контактных электродов , отличаю щийс-я тем, что, с целью улучшения воспроизводимости электрического сопротивления и температурного коэффициента сопротивления и повьппения их временной стабильности, нанесение на непроводящую подложку пленки из термочувствительного материала на основе оксидов металлов высокочастотным магнетронным распылением осзпдествляют в атмосфере, содержащей 97-99 об.% аргона и 1-3 об.% кислорода, при давлении

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ASTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 ®Ис9щу / g

hA 7; ;: 10 тщц,„, . Ц .

Вавлаоу

4 Ь

° ° (21) 3432602/18-21 (22) 30. 04. 82 (46) 30. 07. 84. Бюл. Ф 28 (72) Н.И. Алексеева, А.Н. Дикиджи, М.И. Ярославский, В.В. Бахтинов и Б.А. Биркен (53) 621. 326. 6(088. 8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

В 361471, кл. Н 01 С 17/00, 1972.

2. Патент Великобритании Ф 1379478, кл. Н 01 С 7/04, 1976 (прототип).(54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, включающий нанесение на непроводящую подложку пленки из термочувствительного материала на основе оксидов металлов высокочастотным магнетронным распы.„Я0„, 1105946. А

З1 Р H 01 С 7/04 Н 01 С 17/00 лением и пленочных контактных электродов, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости электрического сопротивления и температурного коэффициента сопротивления и повышения их временной стабильности, нанесение на непроводящую подложку пленки из термочувствительного материала на основе оксидов металлов высокочастотным магнетронным распылением осуществляют в атмосфере, содержащей Я7-99 об.Ж аргона и 1-3 об.7 кислорода, при давлении (7-8)-10 Па, причем в качестве термочувствительного материал ла на основе оксидов металлов исполь- Я зуют твердый раствор полупроводнйковых оксидов переходных металлов. !

105946 2 ночных терморезисторов, используемых в качестве элементов микросхем.

Известен способ изготовления тонко пленочных терморезисторов, включающий нанесение на непроводящую подложку пленки из термочувствительного материала на основе смеси оксидов марганца, кобальта и меди и пленочных контактных электродов $1J.

Недостаток известного способа состоит в низкой временной стабильности электрического сопротивления (дрейф сопротивления со временем составляет 30-407) и температурного коэффициента сопротивления (ТКС изменяется в 2,5-3 раза с повьппением температуры от +20 до +80 С). Невоспроизводимость этих параметров тонкопленочных терморезисторов обус" ловливает низкий (около 57) процент выхода годных изделий.Наиболее близким к изобретению является способ изготовления тонкопленочных терморезисторов, включаю" щий нанесение на непроводящую подложку пленки иэ термочувствительного материала на основе оксидов металлов высокочастотным магнетронным распылением и пленочных контактных электродов (2).

Недостатки данного способа заключаются в невоспроизводимости электрического сопротивления и температурного коэффициента сопротивления и низкой их временной стабильности (изменение параметров составляет около 140Х через 2000 ч).

Цель изобретения вЂ” улучшение воспроизводимости электрического сопротивления и температурного коэффициента сопротивления и повьппение их временной стабильности.

Цель достигается тем, что согласно способу изготовления тонкопленочных терморезисторов, включающему нанесение на непроводящую подложку пленки из термочувствительного материала на основе оксидов металлов высокочастотным магнетронным распылением и пленочных контактных электродов, нанесение на непроводящую подложку пленки из термочув" ствительного материала на основе оксидов металлов высокочастотным магнетронным распылением осуществляют

1 1

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, в микроэлектронике в технологии изготовления тонкоплев атмосфере, содержащий 97-99 об.7 аргона и 1-3 об.X кислорода, при давлении {7-8) .10 2 Па, причем в качестве термочувствительного материала на о"нове оксидов металлов используют твердый раствор полупроводниковых оксидов переходных металлов.

Технология изготовления тонкопленочных терморезисторов включает изготовление порошковой мишени из твердых растворов полупроводниковых оксидов переходных металлов согласно техпроцессу ЦЛ.25065.00001, для чего последние измельчают с помощью пестика до порошкообразного состояния.

Полученный порошок помещают на диск из плавленного кварца, постепенно выливают на порошок спирт, растирают порошок со спиртом до получения однородной суспеизии, которую равномерно распределяют по поверхности диска. Помещают кварцевый диск с нанесенной на него суспенэией в термостат (любого типа) при

100+5ОС на время не менее 2 ч. Через 2 ч "порошковая" мишень готова к работе.

Нанесение термочувствительной пленки тонкопленочного терморезистора осуществляют на установке типа

УВН-62П-3 с применением в качестве высокочастотного распылительного устройства планарного магнетрона

ЦЛ1080-4305 с водоохлаждаемым катодом дискового типа.

Диск из плавленного кварца с размещенной на нем "порошковой" мишенью помещают на катод магнетрона.

Непроводящие подложки, прошедшие предварительно химическую очистку, закладывают в кассету, последнюю помещают в кассетодержатель магнетрона.

Установку готовят к работе согласно инструкции на ее эксплуатацию

ДЕМЗ.273.026 ТО, После подготовки установки к работе создают под колпаком разрежение не хуже 6,5 10 З Па. В смесительный бачок установки напускают. аргон и кислород до давления 3,4 атм. Количество каждого газа контролируют по давлению, регистрируемому манометром.

Расчет процентного содержания кислорода в аргоне производят следующим образом.

1105946

Р + P

СМЕСИ 2

Частота ВЧ генератора, МГц

Напряженность магнитного поля у поверхности мишени, А/м

Расстояние мишень11,56

Объем, эанимаемьп газом в смеси газов, пропорционален его парциальному давлению, т.е. V„ P„, Ч, Р

10 и т. д.

Следовательно, отношение объемов газов в смеси

1,5 ..10

200

Р„= 0,1 атм. смеси с аргоном

Давление смеси газов в объеме равно сумме парциальных давлений составляющих смесь газов (эакон Дальтона), т.е.

Исходя из этого, определим процентное содержание кислорода в смеси с аргоном при давлении смеси газов

3,4 атм и известном парциальном давлении одного иэ газов, например кислорода

Значение Р, определяют при последовательном напуске в смесительный бачок вначале кислорода до давления

О, 1 атм, а затем аргона до суммарного давления смеси 3,4 атм.

Из закона Дальтона определяем парциальное давление аргона:

P (А ) = Рсмесй P. (О ) = 3,4 вЂ” 0,1=

Отсюда соотношение кислорода в

V1 0,1

I з,з т.е. около 3 об. .

Если требуется получить 2 -ное содержание кислорода в смеси с аргоном, то необходимо уменьшить . давление кислорода в смесительном бачке до 0,07 атм.

Смесь аргона с кислородом напус-г кают под колпак до давления 8.10 Па, устанавливают стационарную течь под колпак рабочего газа (смеси аргона и кислорода), обеспечивающую рабочее давление 8 10 Ъа, затем нагревают подлож -.и до 200+10 С и подают на катод магнетрона высоковЂ” частотное напряжение при следующих

5 параметрах: подложка, мм 60

Давление рабочего газа в камере, Па 8 -10

Ток анода ВЧ генератора, A 0,7-0,8

Напряжение ВЧ

20 генератора, кВ 2,7

Температура подложки, С

Скорость нанесения пленки, нм/с 3

25 При этом происходит процесс распыления порошковой мишени твердых растворов полупроводниковых оксидов переходных металлов и нанесение пленки иэ термочувствительного матеЗ0 риала на подложки.

После нанесения термочувствительных пленок на подложки, последние помещают в термостат любого типа с температурой статирования 125+5 Ñ на 100 ч pJIH проведения циклов Нс кусственного старения и термостабилизации термочувствительных пленок согласно техпроцессу ЦЛ.25050.00008.

Контактные тонкопленочные электро40 ды на термочувствительный слой наносят после проведения циклов искусственного старения и термостабилизации термовакуумным способом на установке типа УВН-2И-2 с применением

45 биметаллических масок.

Контактные тонкопленочные электроды терморезисторов выполняют из двух слоев: адгезионного вЂ” нз хрома толщиной 50 нм и проводящего вЂ” из серебра толщиной 200 нм.

Электрические параметры и особенности режимов изготовления тонкопленочных терморезисторов приведены в табл. 1-13.

I оi I сч I л

Г л и

OО л л и

I ф 1

ы ( ф I

1 -ж л л л и

СО л л и

00 л л и

1 вЂ” «(1 I

СО л л и

I л

СО л л и

1 СЧ (1 1

СЧ

CO л л и

1 О 1

СЧ 1

CO и

OO л л и

1 !

1 ь 1 л ф ж о

Г» а ф

1 и I

cV 1 ь ь

00 л л и

СО л и

1 ь

СЧ

Eå

Ю о л л и

ОО л и !

1 и

1Х

t(О

I м сЧ 1

Ь вЂ” -Е

00 л и

I (°вЂ” ч

СО л л и

I сЧ I

ГЧ I

D ь л л л и

1 1

I I

1 вЂ” (1 I

1 1

I - 1

1 сЧ

1 (вЂ” вЂ” 4

1 ь

1 сЧ 1

СЧ

1 !

00 л л и

В1

0) 1

CO л л и

I и

lg лМ

„(1 l и у

Р I

lO I

1 Ь

1 1

СЧ ь м

I ь л

Г л и

Ф о л л и

1 х х к

Ф М и

E. a1

v ф

Э и ф

Г 1(I О (I - 1

1 1

1 1 и л»

0 ф Ц ф Г»

Х Р Ж ф Р и ь

00 л

D и

1 о э

A (»

L o ì

РВЕ- OD ф vo

IE (о л о (Ф О (хь

IЭ Ж

I 0

jE» Э (Ф Х !

Ц Э

Id0

Ф ж х л

mu жо

Е- Ь о cv а

И и о а и, х

1 ОЪ

1 и

1 I м (и

СЧ

1-(1 1

1 I ь

1 1

Ы 1 Т 11 ж

E и

1 Р с6 1

Г 1 ь

1 I

1105946 (,ГЧ I о ((О 6

v ц

$ g,"

m - а 1О ( о ((: х Е4 1 ф хй ф

omo

mom, ОР,О аo g и ж ж х о m

Э Ьл аою

ohio (6 Р

Е Эи ф Ж

Р а

Ф х

m v

t(В

1((ф о х

И 66

u Z

aj х

Р ф

E- o ф

X Ж ж о ц

Г» О о m ж о еЮ Р (Е Ц ж о (6 И х

Q й

Е ф

v a (U

0 ф ф Ге х Р ф,ГО Е л л и

1 л л л и

Г л л и

00 л и

О0 л л и

Г л и

CO л л и

I л .) еЮ Й

Х (1

Р1 Ж Ф

Э (» л е» mmv ф Хо

am åü

Эф сыч

z йж

ФООР

Р. х (-Г о о у о

m u о ж

»1 .Е»л

О 1О

m o о

В о ф о а

N t6 и м ф °

00 (:Е О

Р1

Ф )Я

m +tf л о (: и о л ф ®

4 vîo ф 6( и о )

Ф 6

Е V

М cd

m а ° ф

Р", ",.

0 ((Ь

l !

1 о л I

1 м

1 о

СЕ

V cd

ЕС СГ

o o

IC o л

m v о х

Х Ы х х м

О >О х о о а, м

:» х

Ц о х о а 4о а. ф ф

E и м

Р >О о

>х

CO л

Ь 1

>а л л и

С0

> й\

I ъа л л сГ

Е-> л

« с> \

l r 1 л л л л

I л

> л й\

I м о

Г 1

1 о

СО л л сл 1

1 >О

CO л

>л

СО л

>Г\

СО л сЛ

I э >х

l» Р, » е с>) СЕ ,с о л

I л л

1 1

О 1 л

СС>

I О л л

1 О л л л

I с»с I ц и о

g л

u e

Х Р

СО л

>Г\

СО л л

1 л л л о

1 л о

1 м

CO л л

>Г

I О л

>Г>

1 м

1 л л л

СО

Cf л м 1

l с»с 1 м е о

Х э х х

Е Ф

v a е- . х

cd 4 х. а сС л л

1 л л л л

>с\

1 !

» м л л л

1 л» л

>Л

1 с»! о л л

>>1

СО л л

>Л !

> > 1

1 I I

1 I 1 I л 1 вЂ” 1 сч 1

СО м х 1 х I

E" 1 вЂ” вЂ” 1

Ф I O I л! с 4 м

1 I I

Е I I вЂ” 4

С» 1

1 О

Р 1

>О 1 о

1 вЂ” вЂ” !

1105946 ц v

Ф о х X

Р E"

Э сб

Е»

cd В X

>->

Д.

o e х

А Ц

Q Й

E» V

IXI а

Е cd

v «и сс> cd сч

> E»

0-СО о

Р >ОС0

1 1

I ! 00

И 1

Ф I О сО 1 м

cd I

Р I Р

>О 1

О 1 O

Г 1

1 I м

1 1 вЂ” вЂ” 4!

I 1

1 С»1 1 м 1

I I

N о ф(° л

v ц

Ed О о а

15 о й

Х о

Ц Ю о о оР

Ж а х о

4 а а о са

I»î

v ° (б >а а. о

>Я О1 о\

Р >Х

l>E

Е- а д v

1 о

И Э

-u a х э е

3 х Ф

Э и> ф >Б

X д о X

4 х С> ц Й е и

Е ф а ° щ cd

Е» «1:»

И Фс>

m E» >

1»до о е О а, о э х х е» х х х E am

V g Cd

Ф cd С1

0 4 а х х cd а са X 1: е Q X, о хо х х х

I v е е Х л

Хо

10 Х.О

1а1-о ,Е- Осч х а ! Ф 1: х, с:о а, С1 V

>х х

Р Х е е» х сб 1

Q x е &

8 с» е о

Е-о М (> сСО х

>»о

Ц л хо

ХО е- о о сч

Р и х о а. и х

Э о

Х 1 и е

Щ Ц х В х х

1 Р ! е-о

1 х а

I e

1Ц О

1 cc> v

Х E а х

Ю E Х х а а, 1 л QJ ф ео хо ео х сч Е х

С.) хо х

I»î е

Ц л

mu х с>

E» Ci о сч йх о а. и х

1 I О) O

I ю 1

I л l

1 вЂ” вЂ” Ч! l

1 л 1;

I !

«(1 х

1 1

1 л л

СО

I л о л

СЧ ь

° » л

СО л

1 1

CO л

СО л

О1 1

1 л л ф

0O I

О0 л

1 ь

СЧ л ь л л

С0

° \

СО

1 х

Х 1 В

СЧ !

1 .1

3 вЂ” вЂ” Ч

1 л

E. 1

Р I

cd I

) 1

Э I ф I

cd I

Р 1 х х !

» а ф I

I Ф 1

1 0) I

1 cd 1

1 Р 1

1 IG 1 ! ь

СЧ о л

»С) 1

00 л

1 л ь

СО ь

CO л

СО

СЧ ь

СО л

00 л

C»I О I

Ц л э х

f й( х э ф g e

f Ф

v X) ф

3", х 3-Ь о ф

P 63 00

dI 1О

3-Ож

)0 Х э х. ф л Э

E" Ф ) и х ф

Э Х cd.

Х 0) k(<0 4

30 Р Х йй

1 г 1 1

1 1

1 I

1 СЧ I

1 Ф

iО I

СО л

00 л

»» ! л

1 f

1 3 вЂ” 4

00 л

1 л

»л л

0О

1 л л

1I л л

1 Ф Э ! о х

1 Х Х

)v e

)Ф С

I g ф

I Р f»

13- О

) 4 Р

I Ф 4 X

)C: OO

)au )с

» & !

3 а

l Р

l cd

):„

)" .о ф О х

3" »

m33.

X CcI И

Фо о

Е Зс и л х х J м ) вЂ” 1

I л

1 СЧ 1

1 Щ

1 1

1 1 3 вЂ” вЂ” )) 1

0I 2 ! о хо ! х х.)с

)и Э

) Э

)х mu

)Х Хь

)а 3»ь

О сЧ

)Х 04

)Ф I Х

)4 О Р, 1m и х л

Х3»Х. х э

f Х ф

cd Т Х

С4 Х E" и ВАС.«

gЕ4»О

Ф о о (-i 4» И M

i 105946

t(л

m c« о а у о

u u.

Ы о ы х )С

Х сЧ х й(х о ф 63 о х

Р. О

4 4

3 O.

Ц cd о

1» а сс« о о

I_#_l

f O0

03 а х

cd ф Ц

E» O и

Е»

Я л

> Э

0I а

& о и х о

u Z х е»

Ф ф а Б

Ф 1

)» Э

X Ц о cd

Х Р О I л

Г 1 ! с

I л

1 3--) ф о )

v25 о )с » о о

С Ъ х о о х

Р,.о

f A

m ):( о и

Э о v х о

v ф

a I

dI Х СЧ

E" 5c х ео ф g»»

И Х00

3" Х о ф.х (- О 03

Х Ц ф л

30 Р

03 О

14 и0

СЛ л

Со1

I с6 и х о

О Р. е о х ц о о х х о ы

1 1 ь|

I сб 1

t.1

00 л и л

Со

I л и 1 л

Сл>

СС

С»1

I I л

О л

С» \

l о О и1 л

Сл\

1 с! I

С и 1 л

С»1

1 л

С"1 о л й\

С \

I х х

1» д

cd I

И 1

Э I с0 1

cd 1 а о О и л

СС)

I л о л и л

Со)

I О

СГ л

С")

СЧ

1 О

С»Ъ

1 с 4 1 О 1

CCl

С )

1 л

Г 11

Г 1

1 С

I вЂ” вЂ” 4

f л ! I

1 I! I I I

1 л

1 вЂ” -1

1 ! o

1 с.

1- вЂ” 4

Г 11

I c0

l О

1 л вЂ” -» вЂ” -»1

1 !

1 1

Ф 1 О 1

Г 1

1105946 со д °

Х О о о с х о

Х cd о х

Р, О !

» 4

cd о

I» л,о

Д О о о ф

Р Х

et K

Р Р

С0 Ц

1. О

Й е

С0 C4

A Э

8 о и. х о о х &

cd х х

cd л ф х

Е о и

4 О о х х д

А л

I» С:( х э х е

E <б иxt= ъ cd

0 1-О о а

Р,а л ф Ю

1«О ж

Х Ж ф х

Д л ф

E» cd С„" х е х

ccl Cd

Х 4

A Р, Х cd Р, 00 Е о

С0 С0 ол са (Х 1 о- х д оо х

С0 л

Б о

IcI Р tj ооо

И E Р хvo х

cd m v о е

Я Р М о о

Р !

» д

CU lO

Ц 1- O о х !СР Х Х

O E.

С0 CU Сб д

vxo

Р Х Р

Ц <б

)х о

C(Ц °

Р Цlo е о х сб е» х о

Я С0 Х

Р, Э

Ф Э

А Ы Сб

И с кд, И Й Э

О Id хоо

ы и ф л сб и Э

ХОР, д В е э ое

Х iй ! о о са

o m х

А х >@.

eel

Х Э

Х Х Ix х (» 0

v x х о к cd cd

0 & Р

О 0 л °

Р, cd cd

ФЮ 7.

1- оо

e oo ф л00

E" cd 00

О Х 00

Е Х ll

0 <б Х х

ХР, ОХ

cd» Э

СР X CK

Ф Э

1о ХО !ххах

«ve ф Ц л х ч.э! д .о

1Ь ОСЧ и д э L х! цод

1 01 V L"

Х !" Х

0 е

Е» ф Х

ХЗР

Е и И еоо -с ы и о

Р л о о

СМ о х о à х х м х

ve дх

Э Ц л Q ф

0 аи 1-Х х хо

Д1-О Дж

E- осч eg е 4 L

t:oo эо

Е о Х Е !с х х х

Ц х х

E о дo хо оо м л /

С Ъ

1 ь г

1 !

Ф 1

Т 1 л

С Ъ

С»3 ь л

С 1

» л

Р 1 л л

Ф»1

О\ 1

3/\

<»1

1 л

4/Ъ л

С»1

СЧ ь О н л

I ж х

i»

Ф и !

II а о Р ю

С»Ъ

I л

I °

I л

О 1

Ю л м

Фь

С Ъ

»»

1 О м

Ю (1

1 л

С»5

1 л ю л

С»1

I л и

С Ъ

I. I Г вЂ” 1

1 I

1 1

1 I

1 7

1 1

1 c4 I

1мъ!

1 I

ОО 1 с ) !" вЂ” Ч

Ch I

Ф 1

I 1

1 л I

1--1! !с"i I

t 1 Ф

1 I

3 Т!

1 Ч I

1 1 оО 1

1 с I вЂ” 1

1 1

I 1

I л 1

1 с 1

I 1

1iO5946

3/Ъ 16 о

Ц U и м ои !О

О N

М х ж х й(Я о х а о о

4 а3

f Âà

И !о о

$ A

Р, t( е о ф и л ц о. о z и е ж

C о а !

» Р о е л 1:»

Q х Ж и М

1е4 е одц

Р 5 Ф

Е !О В

s. o

34 Ж

e a !!!

Р 43 Ct

t6 !» Охаа са о

ФО Е

Э о

М 1

v e е х x m o х х х hc

Р & Р

1-ое ха. и

e g eo ц о хь

ol и х сч х е»

Р Х

1> 0l

E Х е и е е о

Ol цо !!! О х w

f» Ъ о

Р, и Ф о х и х

1 м

1 л О

О Ъ л м

CO ь о

Х о м о м

1 с»4 1

I л1

1 1

Г 1!

I л сЛ л м

I л

lA л м

I ь л

I 1

1 л

О м

1 с ! О 1 л

О л м

I О сО л м

1 а с6 л сГ л м

I с

О"1 л м

1 с о л м

I а о х -o у.

I0 Х Ж

I» Х ж е ф

cd Cd а5 х е со а, I-Oe

Е л ь

1 о сс л с \

I со ю л м

CO а

I л сс 1 л м

I сс!

k( о а о

Щ л

Е» cd о (U х

Р <б с6 с» х а ф со е л л л м

I с с/1 л м

I о

cd сс) о а о

Ц х х е с <.Р

me х

1" Wo

И I

I !о е l 3 м I

m 1 О

cd 1 а 1 со 1

Ю 1 1

1 с 4 1 ! 1 о 1

1 1 1 вЂ” -1

1 1 1

1 1 1 сс 1

1 I ссi I

1 1 1

1 1

1105946 о

Х 1 о е е 4 х

W !с! O

Ж Х Ж К а 6" а

sos е и еooУ" ц охь л охи

Ю л О о м

Х х х х сб о х

Cd O о r а Q е

Р р.о о

С» IO о

v >х сб е

C4 K

>Б ж а ц е а е о

Id О л в .е сс v ц о о Z

И о cd ж

E" и

cd д

X 1

v cd ое!х

1 сч

1 сч л с о) 1

l с 4 л

-Ф

Р4 л 3 с 1 л ь л с4 л

1 !

1 И х

E а

И сч ь

:т

cd а с сч

1 с1 1

1 ь

D з е

i о л

00 ь

6 й( о а о

С4 л б

1 вЂ” -4

1 I !

CV (СО 1 ! вЂ” -4

1 1 3

1 1

1cn 1

Г 11

I ! .

I Г 1

I 1

t 1 О

I -й

I 1

I ci I

1 вЂ” вЂ” Ф

1 /1

1 1 вЂ” Ч

I сч 1

1 Ч

1 ч

1 О 1 вЂ” 1

Г 3

1 л

I с) 1

I 1

1105946 о

tf ж

Х о м

Ю .а О оХ ж ж (<б о ж

m o о с а а

cd ъ

Ц о о

И со о со сс! о1

v e

cd Е а н

>Я K д Q ц е а е о сс! v л я е м о ц о о р

u cd

Э!Я ж Ф а е

Ф М

cd,д

Е 4

V cd о еи се ас о ж «с

d3 а н е

6 а с

Ф о

О Ф е ц 2

W m D

Х Х Ж М а E а

I-O V. х а о е e eo алоис лохсч

I I

РЗ нЕо в v а о

XQ QI е д х

Е и «1 с ж х о е жо

C4 д

-v

О 1-о

g C4 а-1 ь

1105946

CO»ГЪ 00

» л » л Л л

1 I

СО

»» л л

00 т» л л

С0 (ГЪ т- л л

О0 т л

СО С Ъ

» л л

СО

» л л Л т»

43 л л

Со Ф

О а

И и и с0

О r

° м л л л

СО т С»Ъ л л .0 т

00 00

° М т л л л л

1 - I

С Ъ л л л

° С»Ъ л б л л»

00 т» л л ф л

СО

C»t л л л т» о0 а л л СО

»Г °

00 л л СО !

ГЪ °

С о

CO ОЪ 00 л л Л л

cn1 I

О» 00 л л

ГЪ

C0 СС» л л Л

» \ т

СО ОЪ л л Лт ГЪ т

00 Оъ л л Л и

00 л и

СЪЪ 00 СО л Л л л

» 1ГЪ т»

1 о о т

00 Л СО л л л

Щ»» СГЪ

I 1

СО

* л л

ГЪ

00 СО л л л твЂ”

CO O0 л л

\/Ъ т

СО л л

»ГЪ

СО CO л л сп

00 СО л л л т» 1ГЪ

1 л л л

1 а ж

1 Ц а

I л

ОЪ

Ф оъ

О и

М оо

0Q л

° О Ъ

«Ъ СО а Л л

00 CQ т 3ГЪ °

00 л

МЪ

O0 CO л л ф л

»ГЪ т 3Г

I I

СО л л 00

МЪ т

OO 43 л л 00

ГЪ

00 0 л л 00

»ГЪ

О л

00 O л л ф т»

Е о

xvv

Х0 л С4

Е о с v v 4 0 лС4W (X M

Ю. xvv

Ио л (-» W с»с

Е о

И О С.Ъ

Мо л (-4 ! с»»»

О Г

xuv ovv

Мд !С ХО лЯ4 лС4

Ос »» С тт

z "v

O V0

34 М л 4

ovu

34 Ь00 л (-4

ic»» а Q» °

1 3

Ф О

Ф!.!и

Ф м о о 3 mcus

1 1

ОЕ

М Ф а к

СЪ

1- О

Ю Ю

О о ь

»О о о

Ф о о о о

СЧ ь

С Ъ о о сО

Ю ь о о о

Ф О

И Ст

t,Î ! аМ1м оatм

0!Ф СЧ

Е g 1

cct Е 1 а 1 а 5 1

Ф Ю 1

Д О

&» М 1 .! I

Ф " 1 С !

О а

Х t

m I

Ф l а I о 1 cct

Е 1 а 1 "A

Ф 1 с0

gi 1 <б

g t I0

Е! О,о а С!

m I U É

40 (б

СО а 00 ГЪ СО л л а л л Л л ф л ф т»ГЪ т»»n т Ln

1 I I

СО О СО О ОЭ О л л л л л л 00 л CQ л CQ и и е

1 I 1

СО 0 СО б СО л л

° OQ л CQ л сп а ГЪ

1 I 1 о0 Î оо О ф Î сО л . л л л ф л ф л OQ a иЪ - cn cn 0Ъ

t I 1 1

23 л

И л

С Ъ

1 л T

° СО м

I л

СаЪ

1 л

CO л

И е CQ

С 1

1 л

И е

I л

СаЪ

1 л о

И л

° 00

С"1

l л

И м

1 о л

СО л

И л

И. л

С Ъ

I л

И л

1 О л

° л и

Ch ж а !

0 л

М !!

И л

С Ъ

СО л

1 л л м о

СО

М О

X ои

Ы М

1-о л

Мо

1- о и

d î о о

CO о о О о о о о

С о о ь о о

СО о о

ОС

X ои

Х hC . -(О(л

И л е Л

С Ъ

I л СО.

И ° м

CQ a л л ф а

° 00 о

CQ Са! л а Ф а

X и о о о,о л

1105946 о

CQ a

° м

I л

СО

° м

1 о

CQ о

° С Ъ ! л л

И л л . а» СаЪ

1 о0 л

И л л

° М

1 а CQ

° а л л а

С Ъ СО

CQ л а

С Ъ 00 л о аО л

°вЂ”

Е о и и х Мо (-ч - .

С(а»

И а л CQ

С Ъ

1 л. М

И л CQ

I о

1 О

И ° е

М аI

СО

И а л л

С Ъ

СО л а»

CQ е л е СО а

CQ p а ° а

° »

X ои о оо

QC л

° СО

С Ъ

1! С Ъ е

° 00 м

1 л о

И! е

° CQ

С Ъ

1 О

И л л

С Ъ а

) СО

И е Л м

CQ e л а Л 3 аI

СО

° CQ о е

С0

С Ъ

A o аО е

u ov

1-о

И л CQ

СМ

И а л СО

М а

1 о

СаЪ а»

I аО

И а

° л

М °

СО

И а

СаЪ о

CO ° о- л л !

СО Ф а ° а СО о

CQ о»

° ° О о

v ou о ч аао

М л

И л CO

СаЪ

1 л м

И а СО

М а1 л о

a 00 о»

I л о

И о

С Ъ

1 л 00

И л е Л

ÑO

° л а Л е

СО

° а

° СО а

CQ а М л а аО а»

u ou о ICХ о а

Сц ж

f о а

И о о

fI (! к а о

X а

f х

Ь о ж

Ц !

» о

34 о

3 о

Ф о

Х и

Э р к а а

М Х

Ф Й

1 Ф

Са!

1105946

Составитель Ю. Герасичкин

Редактор Т. Веселова Техред С,Мигунова Корректор В ГИДняк

Заказ 5606/41 Тираж 683 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение позволяет улучшить воспроизводимость электрического сопротивления (разброс не более 10Х номинального значения внутри партии и от партии к партии) и ТКС (разброс не более 17) и повысить временную стабильность этих параметров (+ 17) тонкопленочных терморезисторов.

Это дает возможность повысить надежность тонкопленочных термо5 резисторов и использующих им микросхем.

Способ изготовления тонкопленочных терморезисторов

Патент 1105946