Полупроводниковый прибор
Патент 1119553
Авторы
Классы МПК
Полупроводниковый прибор
Реферат
Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводник из арсенида галлия p-типа проводимости, на котором сформирован барьерообразующий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения потенциального барьера и обеспечения прозрачности, барьерообразующий электрод выполнен из окисла индия, легированного оловом до концентрации свободных носителей заряда 1-810 см-3.