Полупроводниковый датчик концентрации (давления) паров

Иллюстрации

Полупроводниковый датчик концентрации (давления) паров (патент 122240)
Полупроводниковый датчик концентрации (давления) паров (патент 122240)
Показать все

Реферат

 

.% 122240

Класс 21с, 55о2

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Б. С. Тульчинский и В. Д. Юрасов

ПОЛУПРО ВОД Н И КО ВЫИ ДАТЧ И К КОН ЦЕНТРАЦИ И (ДАВЛЕНИЯ) ПАРОВ

Заявлено 7 мая 1958 г. за № 599096/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений> № 17 за 1969 г.

При измерении концентрации и давления паров различных газо образных веществ применяют полупроводниковые датчики. Однако известные датчики подобного рода имеют сравнительно низкую чувствительность.

В предлагаемом датчике для устранения указанного недостатка применяется в качестве чувствительного элемента пористая полупроводниковая пленка, например двуокись олова, нанесенная на основание из изоляционного материала, например фарфора.

На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого датчика.

Датчик 1 представляет собой фарфоровую пластинку с нанесенным на ее поверхность полупроводниковым слоем.

Для нанесения полупроводниковой пленки на фарфоровое основание пластинка нагревается до температуры 750 †8 С и обрабатывается спиртовым раствором хлорного олова, который содержит

8 вес. ч. спирта, 10 вес. ч. хлорного олова и 2,5 вес. ч. восстановителя (формалина) . Возникающая при гидролизе двуокись олова частично восстанавливается до моноокиси, которая при температуре выше 400, диссоциируется на двуокись и металл. При быстром темпе охлаждения на поверхности фарфоровой пластинки создается пористая полупроводниковая пленка, состоящая в основном из двуокиси олова, в структуре которой присутствуют проводящие примеси.

Надежный контакт между пленкой и электродами осуществляется путем создания на пленке тонкого металлического слоя серебра методом вжигания. При этом используется паста следующего состава:

8 вес. ч. Ag2CO3+ 1 вес. ч. канифоли+4 вес. ч. скипидара.

Приготовленный таким образом датчик 1 помещают в сосуд 2, в котором измеряют давление, и подключают к прибору 8, измеряю.щему сопротивление цепи, например, к мегометру. № 122240

По изменению электропроводности слоя пористой полупроводниковой пленки, зависящей, от количества абсорбируемого газообразного вещества, судят о величине его давления.

При градуировке датчика в сосуд 2 устанавливают термопару 4, подключенную к гальванометру 5, и манометр б.

Предмет изобретения

Полупроводниковый датчик концентрации (давления) паров, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения его чувствительности, в нем в качестве чувствительного элемента применена пористая пленка, например двуокиси олова, нанесенная на основание из изоляционного материала, например фарфора.

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров- СССР

Редактор В. М. Парнес Гр. 91:

Информационно-издательский отдел.

Объем 0,17 п..л. Зак. 8322

Подп. к печ. 9.Х-59 г.

Тираж 1170 Цена 25 коп.

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров CCCP

Москва, Петровка, 14.