H01L23/14 - отличающиеся материалом или его электрическими параметрами

Полупроводниковый датчик концентрации (давления) паров

.% 122240 Класс 21с, 55о2 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Б. С. Тульчинский и В. Д. Юрасов ПОЛУПРО ВОД Н И КО ВЫИ ДАТЧ И К КОН ЦЕНТРАЦИ И (ДАВЛЕНИЯ) ПАРОВ Заявлено 7 мая 1958 г. за № 599096/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений> № 17 за 1969 г. При измерении концентрации и давления п...

122240

Способ крепления полупроводпикового прибора

357626 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ссюе Ссветсиик Социвлистическик Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено ОЗ.XII.1970 (№ 1496267/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 31.ХЛ972. Бюллетень № 33 Дата опубликования описания 25.1.1973 М. Кл. Н 011 1/02 Комитет по делом ивобретеиий и открытий ори Совете Мииистрое СССР УДК 621...

357626

Основание полупроводникового прибора

Использование: приборостроение. Сущность изобретения: осночоние полупроводникового прибора состоит из соосных фланца и кристаллодержателя, выполненного в форме катушки. Фланец выполнен с кольцевой проточкой, в которой размещено одно из оснований катушки. Представлены аналитические выражения, определяющие глубину проточки и диаметр центрального отверстия фланца. 1 ил. СОЮЗ СОВ...

1734137

Полупроводниковый модуль

Область использования: в выпрямительных блоках в качестве вторичных источников питанияв различных преобразовательных устройствах. За счет того, что, по меньшей мере, один из выводов выводной рамки, на монтажной площадке которой расположены полупроводниковые структуры, выполнен с изгибом, геометрические камеры которого выбирают из соотношения -| 0,62-0,8, где а - высота, Ь ширина...

1820962

Металлизированная пластина алмаза и способ ее изготовления

Изобретения могут быть использованы для монтажа элементов электронной техники. Техническим результатом изобретения является обеспечение высоких электрофизических параметров путем исключения деградации свойств пластины алмаза, при сохранении высокой адгезии металла к алмазу. Сущность изобретения: в металлизированной пластине алмаза, содержащей промежуточный слой между пластиной алмаза и металлизаци...

2285977

Многослойное металлизационное покрытие алмаза или алмазосодержащих материалов и изделий из них и способ его нанесения

Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно к металлизационным покрытиям алмаза, и может быть использовано при выполнении соединений элементов электровакуумных и твердотельных изделий. Покрытие представляет собой последовательность слоев титан - железо или титан - никель общей толщиной 0,3-0,5 мкм при соотношении компонентов 55:45 об.% соответственно и молибдена или вольфрама толщин...

2399693

Подложка панели солнечной батареи и способ ее изготовления

Изобретение относится к солнечным батареям, служащим для преобразования солнечной энергии в электрическую. Подложка панели солнечной батареи состоит из сетчатого материала, изготовленного из струн, пропитанных связующим составом, согласно изобретению струны выполнены из арамидного шнура. Способ изготовления подложки панели солнечной батареи осуществляют путем пропитывания струн сетчатого материал...

2449226

H01L23/14 - отличающиеся материалом или его электрическими параметрами

Патенты в этой категории