Способ технологического контроля параметров элементов мдп- бис

Способ технологического контроля параметров элементов мдп- бис

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение может быть испбльзовано для контроля МДП-БИС в процессе их производства и эксплуатации.Цель изобретения - упрощение контроля. В МДП-БИС вводят кольцевой генератор. Измеряют частоту автоколебаний напряжения тестовой структуры и по частоте автоколебаний судят о динамических параметрах БИС. Затем понижают частоту колебаний и посредством системы управлений вычисляют величины сопротивления канала () и напряжение порога (и„) . Т Ад +А(/„ + .Кк в„+в,,+б,и„к, где А„, А, А, АЗ, В„ , В, , В, В - коэффициенты,для определения которых отбирают тестовые структуры, у которых U и R близки к своим максимальным и минимальным значениям.Причем для и среди отобранных, а для 1 определяют из тестовых структур со значениями „ -R. , и. R , и, R значения Т макс мин тин . И t . Вычисляют коэффициенты А и в по известным значениям T,t ,R и и . Устройство, реализукяцее способ, содержит инверторы 1-4 тестовой струк- . туры МДП-БИС, конденсатор 5 для понижения частоты колебаний, измеритель 6 длительности импульсов и длительности периода колебаний.При необходимости повьшения точности измерений порядок уравнений может быть увеличен до второй или третьей степени . 2 ил. § tv 1ч с О О о .1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 С 01 R 31/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1

К ABTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

li3

-.—

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3602850/24-21 (22) Оба 06.83 (46) 23.04.86. Бюл. У 15 (71) Московский ордена Ленина и ордена Октябрьской Революции энергетический институт. (72) Ф.Н.Покровский, В.А.Егоренков, В.М.Деревянкин и В.Д.Выборных (53) 621.317.79(088.8) (56) Электронная техника. Сер, УШ, 1980, вып. 8 (86), с. 52.

Патент США 4183460, кл. G -01 R 31/28, 1979

Патент США N- 4180772, кл. С 01, К 15/12, 1979. (54) СПОСОБ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕМЕНТОВ МДП-.БИС (57) Изобретение может быть использовано для контроля МДП-БИС в процессе их производства и эксплуатации. Цель изобретения — упрощение контроля. В

МДП-БИС вводят кольцевой генератор.

Измеряют частоту автоколебаний напряжения тестовой структуры и по частоте автоколебаний судят о динамических параметрах БИС. Затем пони„„SU„„1226363 A жают частоту колебаний и посредством системы управлений вычисляют величины сопротивления канала (й„) и напряжение порога (u ). Т = А +А„ О„ + коэффициенты,для определения которых отбирают тестовые структуры, у которых 0„ и К„ близки к своим максимальным и минимальным значениям.Причем для U среди отобранных, а для

3 определяют из тестовых структур со значениями U К,U R ака ка„;1 NNH MM

U„ R, U„ „. значения Т

Макс ыин юмн и . Вычисляют коэффициенты А и

Л

В по известным значениям Т, ь, R„ и

Устройство, реализующее способ, содержит инверторы 1-4 тестовой струк-, туры МДП-БИС, конденсатор 5 для понижения частоты колебаний, измеритель 6 длительности импульсов и длительности периода колебаний.При необходимости повышения точности измерений порядок уравнений может быть увеличен до второй или третьей степени. 2 ил.

26363

В, 3 и к

1 12

Изобретение относится к технике контроля электрических параметров и может быть ;."пользовано для контроля

МДП-БИС в процессе их производства и эксплуатации.

Цель изобретения — упрощение контроля эа счет исключения операций снятия и преобразования электрических сигналов, характеризующих статические параметры.

Способ заключается во введении в

МДП-БИС кольцевого генератора, измерении частоты автоколебаний напряжения тестовой структуры по частоте автоколебаний судят о динамических параметрах БИС, понижают частоту колебаний, вычисляют величины сопротивления канала („ ) и напряжения порога из системы управлений

Aî + A Uâ + A R + A Uï Rè коэффициенты, найденные следующим образом: отбирают тестовые структуры, у которых U„ близки к своим максимальным и минимальным значениям, среди отобранных отбирают тестовые структуры, у которых RÄ близки к своим максимальным и минимальным значениям, определяют для тестовых структур co H eHH n U„ R„

U К, U R U„R а мин И мин и макс п макс "мин ма с значения Т и, вычисляют коэффициенты А и В по известным значениям Т, i, R,„ и U„

На фиг. 1 представлена схема устройства .для реализации способа, на фиг, 2 — то же, с дополнительными резисторами.

Устройство содержит первый i âòîрой 2, третий 3 и четвертый 4 инверторы тестовой структуры МДП-БИС, конденсатор 5 для понижения частоты колебаний, измеритель 6 длительности импульсов и длительности периода Колебаний. Инверторы 1 — 3 соединены по схеме кольцевого генератора, инвертор 4 соединен между выходом кольцевого генератора и измерителем 6.

Устройство работает следующим образом.

Сначала включают кольцевой генератор, содержащий инверторы 1 — 3 тестовой структуры и через инвертор

4 тестовой структуры колебания напряжения кольцевого генератора поступают на измеритель 6 частоты.По измеренной частоте судят о динамических параметрах инверторов 1-3.

Затем понижают частоту колебаний десятков килогерц кольцевого генератора, соединяя конденсатор 5 между входом и выходом инвертора З.Измеряют измерителем 6 период Т колебаний и длительность импульсов положительной полярности. Сопротивле-. ние канала R„ и напряжение порога

U находят из системы уравнений

П л

T = Л +А11„+А F АUP,, с= В +

+B< LI„ B„P +В П„й

Уравнения представляют собой модель

Л. связи Т и i с И„и R,. Поскольку расчет модели затруднен, величины коэффициентов А и В находят экспериментальным путем следующим образом: измерение О, в совокупности идентичных тестовых структур и отбор таких образцов, у которых величины U, близки к своим максимальным и минимальным !

5 значениям; измерение К„ в группе предварительно отобранных образцов тестовых структур и новый отбор из них таких образцов, у которых величины R близки к своим максимальным

К щ и минимальным значениям, включение отобранных образцов тестовых структур таким образом, чтобы поочередно образовать в пространстве 1 П„, R„j четыре ортогональные точки, соответствующие плану полного факторного

35 эксперимента, при необходимости включают дополнительные резисторы 7 — 12 л

{фиг. 2), измеряют значения Т и при четырех крайних параметрах R u

U вычисляют. коэффициенты А и В урав40 л нений по известным значениям Т,б

R иО, При необходимости повышения точности измерений, порядок уравнений может быть увеличен до второй или

45 третьей степени.

Формула изобретения

Способ технологического контроля параметров элементов МДП-БИС, заключающийся в том,. что в МДП-БИС вводят тестовую структуру в виде кольцевого генератора, измеряют частоту колебаний тестовой структуры в виде коль55 цевого генератора, введенной в МДПБИС, по частоте колебаний судят о динамических параметрах испытуемой схемы, о статических параметрах су12263б3 — В +В Ц +В Й +В О К

Фиа Я

40.Составитель В.Гусев

Редактор Н.Яцола Техред И.Попович Корректор Л.Патай

Заказ 2127/44 Тираж 728 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4 дят по величине сопротивления канала и напряжению порога, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения контроля, заключающемся в уменьшении количества операций, снижают частоту автоколебаний до десятков килогерц, измеряют период колебаний (Т) и длительность импульса (c),вычисляют сопротивление канала (R ) и к напряжение порога (U„) из системы уравнений

Т = A+А,LI +A R+А.U R

Вз — масштабные коэффициенты, предварительно отбирают тестовые структу- ры, у которых О„близки к своим максимальным и минимальным значениям, среди отобранных отбирают тестовые структуры, у которых RÄ близки к своим максимальным и минимальным зна- чениям, определяют для тестовых

1О структур со значениями U R

\ и макс кмакс, к ц„к„, ц

" мин К мин макс мин мин макс значения Т и и вычисляют коэф-. фициенты А и В по известным значениям Т,, иЦ„