Устройство для моделирования биполярного транзистора

Устройство для моделирования биполярного транзистора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области радиоэлектроники и электронной техники и может быть использовано на любом предприятии, занимающемся исследованием и прогнозированием работоспособности радиоэлектронной аппаратуры на биполярных транзисторах в условиях пониженной температуры. Цель изобретения - повьшение точности моделирования входной характеристики при пониженной температуре путем улучшения линейности. Новым в устройстве для моделирования биполярного транзистора является то, что структура устройства представляет собой последовательное соединение базоэмиттерных переходов усилительных транзисторов разного типа проводимости, что позволяет уменьшить количество элементов схемы устрюйства по сравнению с прототипом. 1 ил. (Л го ел ю со

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

m4 G0б 6 7/62

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3848565/24-24 (22) 28, О1. 85 (46) 15. 08. 86. Бюл. Р 30 (721 В.Д,Андреев, Е.А.Баранов, I1. С. Валитов, Б,А, Волков, В. В. Каширин и И.И,Пестрякова (53) 681,333 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 982030, кл. G 06 6 7/62, 1981, Авторское свидетельство СССР

Ф 928376, кл. G 06 G 7/62, 1980. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ

БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА (57) Изобретение относится к области радиоэлектроники и электронной техники и может быть использовано на любом предприятии, занимающемся ис„„SU„„1251123 А1 следованием и прогнозированием работоспособности радиоэлектронной аппаратуры на биполярных транзисторах в условиях пониженной температуры. Цель изобретения — повышение точности моделирования входной характеристики при пониженной температуре путем улучшения линейности. Новым в устройстве для моделирования биполярного транзистора является то, что структура устройства представляет собой последовательное соединение базоэмиттерных переходов усилительных транзисторов разного типа проводимости, что позволяет уменьшить количество элементов схемы устройства .по сравнению с прототипом. 1 ил.

1251123

Изобретение относится к радиоэлектронике, точнее к исследованию и измерению параметров транзисторов, и моможет быть использовано для анализа работоспособности радиоэлектронных 5 устройств в условиях понижения температуры.

Целью изобретения является повышение точности моделирования входной характеристики при пониженной темпера- 10 туре путем улучшения ее линейности в области малых токов, На чертеже представлена схема предлагаемого устройства, Устройство для моделирования биполярного транзистора содержит два усилительных транзистора 1 и 2 (разного типа проводимости) и токозадающий переменный резистор 3, одновре- 20 менно включенный в базовые цепи усилительных транзисторов, эмиттер усилительного транзистора 1 является базовым выводом устройства, коллектор усилительного транзистора 1 и эмиттер усилительного транзистора 2 объединены и образуют эмиттерный вывод устройства, а коллектор усилительного транзистора 2 является коллекторным выводом устройства. 30

Устройство работает следующим образом, Усилительный транзистор 1 совместно с переменным резистором 3 служит для моделирования уменьшения коэффициента передачи транзистора 2 (параметры которого подлежат моделированию) по току при уменьшении температуры. Входной ток устройства Tg является суммой эмиттерного тока 1 транзистора 1 и тока 1< через резистор 3, а ток I определяется разностью базовых, токов 1р и Ig, транзисторов 1 и 2.

Коэффициент передачи устройства по току <, выраженный через базовые токи и коэффициенты передачи

50 усилительных транзисторов, определя1 2 етс55 выражением 15 = и зависит

1 (P,s1 Ег

Isi от соотношения токов —,которое, в, г свою очередь „определяется величиной сопротивления резистора 3, При -.опротивлении резистора 311=0 ток. р =O a P устройства равно значению коэффициента передачи Р2 транзистора 2, а гри Е ос токи, = I g u коэффициент передачи устройства становится разным

e,+

3=

Эмчттерный переход германиевого транзистора 1, включенный последовательно с базой транзистора 2, создаeò дополнительное напряжение между ба=„ é и эмиттером устройства и тем

c;2ã ым имитирует увеличение напряжения IJg. при уменьшении температуры, Дпя создания устройства мо- 5b5 1, использованы серийные транзисторы. о р м у л а и з о б р е т е н и устройство дл5 моделирова .-1я бипо- хярногo транзисT0p;1, .c.,>,. pржа I:ре ,в а усилительных транзис тора и токозадающий переменный резистор один вывод ко .орого подключен к базовому выводу уст-ойства5 другой вывод токо задаю15;его прреь1ен11ого резче тора соедине с базой первого усилительного транзистора, коллектор и эмиттер второго усилительного транзистора ят,ляются соответственно коллекторным и эмиттергь1м выводами устройства, т л и ч а ю щ е р с я рм что цег:ью повышения точности моделировапия входной характеристики при пониженной температуре, B нем эмиттср первого усилительного транзистора соединен с базовым выводом устройстEH коллектор первото усилительного транзисторя подключен к эмиттерному

Bb!Bcäó устройства., базы г= pâoão и второго тра. -|зисторнь:х ус ипителей объединены.

125! 123

Составитель И.Дубинина

Техред О.Сопко Корректор И.Муска

Редактор К. Волошук

Тираж 671 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

)13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Заказ 4414/48 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная,4