ПЕСТРЯКОВА ИРИНА ИВАНОВНА
Изобретатель ПЕСТРЯКОВА ИРИНА ИВАНОВНА является автором следующих патентов:
Устройство для моделирования радиоэлектронных схем
11Ц 4748Â Союз Советских ",ациалистниеских Республик (б1) Дополнительное и азт. св.i;I ву (22) Заявлено 14.06.74 (21) 2027632/18-24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет Опубликовано 25.06.75, Бюллетень ¹ 23 Дата опубликования описания 05.11.75 (51) 1. Кл. 6 06@ 7148 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.333(088.8) (72...
474819Устройство для контроля статической помехоустойчивости логических устройств
Союз Соеетеикх Соцееапиетюесиих РСХ Т $5ffNK 1 () 52%QQQ Г К АВТОРСКОМУ СВИДЙПЛЬ ЛВУ 3 ъ» Гщдаратеевный вамате1 6Овета Мннпстраа СЮ ОО делаи иеебретенвй il OTKPbiTii8 ;23) Приоритет (43) Опубликовано 25 gf,, В.Яюллете; ръ,-.:(45) Дата опубликования -;Tzc -,= "о;р - -. N» C. Валитэв, И.. « естся -:Ов="., И,.=:. Хис . -:Ов, 5 Г,, Жидков, С. .. Вязни ".» в 1 --» ::»- - ада .ов r...
525900Устройство для определения оптимальных параметров электронных схем
ОП ИСАН И Е ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Совэ Советских Социалистических Республик (ii) 55Î645! 1. (51) М. Кл. G 06F 15/46 G 01R 31/28 (б1) Дополшггельное к авт. свпд-ry (22) Заявлено 18.07.75 (21) 2158374/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 15.03.77, Бюллетень № 10 Дата опубликования описания 15.04.7 7 Государственный комитет Совета Министро...
550645Модель полевого (мдп) транзистора
Союз Советских Социалистицесюа Республик пе 673941 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТВЛЬСТВУ (61} Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 17.02.78 (21) 2580783/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М,К . G 01 R 31/26 Гасударственный кемнтет СССР по делам нзоарвтвннй н аткрытнй (53) УДК 621.382..3 (088.8) Опубликовано 15.07.79. Бюллетень №26 Дата опубликования опи...
673941Устройство для моделирования полу-проводникового элемента
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ. СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик 834723 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (53)М. Клз G 06 G 7/62 (22) Заявлено 210979 (21) 2822923/18-24 с присоединением заявки йо(23) Приоритет - Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий Опубликовано 3 0581 Бюллетень 1 1о 20 (5Ç) УДК 681.333 (088. 8) Дата опубл...
834723Устройство для моделирования полупроводникового элемента
Союз Соаетских Социалистических Республик ОПИСАпИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву 9732917 (22) Заявлено 110779 (21) 2795382/18-25 (51) М Н 01 L 29/00 G G 7/62 с присоединением заявки М— (23) Приоритет— Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий Опубликовано 151181 Бюллетень Й9 42 Дата опубликования описания 15...
881898Устройство для моделирования биполярного транзистора
ОП ИСАНИЕ ИЗОВРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советсиик Социал нетичвсиик Республик ((928376 (61 ) Дополнительное к а вт. с вид-ву (22) Занвлено 28.03.80 (2! ) 2900875/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 15.05.82. Бюллетень № 18 Дата опубликования описания 18.05.82 (5I)М. Кл. 606Ц 7/62 3Ьоударстееииый комитет СССР (53) УДК 681.333 (088.8...
928376Устройство для моделирования полупроводникового элемента
(>963005 ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических республик Ф / (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 23. 02. 81 (21) 3254847/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 30 ° 09 ° 82 ° Бюллетень №36 Дата опубликования описания 30. 09. 82 (51)М. Кл. G 06 G 7/62 3Ьаударстесииый каиитет CQCP во делен изабр...
963005Модель биполярного транзистора
О П И С А Н И .Е ()982030 ИЗО6РЕТЕ Н ИЯ Союз Советскик Социалистическик Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l) Дополнительное к авт. свид-ву(5! )М. Кл. (22) Заявлено 05.06.81 (2! ) 3296055/18-24 с присоединением заявки М Ся06(л 7/62! веудврстпккый кеапвт CCCP lo делам кэобрвтекий и открытий {23) Приорнтет— Опубликовано 15.12,82. Бюллетень № 46 (53) УДК681.3.33 (088. 8)...
982030Устройство для моделирования входных характеристик транзистора
УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ВХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА , содержащее переменный резистор, первый транзистор, коллектор котороро соединен с базой второго транзистора , коллектор которого подключен к эмиттеру первого транзистора, о тличающееся тем, что, с целью повышения точности,в него введены резистор температурной компенсации и дополнительный транзистор, эмиттер и база ко...
1049932Устройство для моделирования радиоэлектронных схем
УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ, содержащее блок индикации, счетчик числа испытаний , счетчик числа положительных исходов, первый и второй информационные входы блока индикации подключены к выходам счетчика числа положительных исходов и счетчика числа испытаний соответственно, блок набора реализаций, содержащий реле, контакты которых соединены соответственно с в...
1196911Устройство для моделирования биполярного транзистора
Изобретение относится к области радиоэлектроники и электронной техники и может быть использовано на любом предприятии, занимающемся исследованием и прогнозированием работоспособности радиоэлектронной аппаратуры на биполярных транзисторах в условиях пониженной температуры. Цель изобретения - повьшение точности моделирования входной характеристики при пониженной температуре путем у...
1251123Устройство для определения коэффициентов влияния параметров элементов на выходные параметры радиоэлектронных схем
Изобретение относится к автоматике , электронике и вычислительной технике и может быть использовано при проектировании, исследовании и оптимизации параметров радиоэлектронных схем. Целью изобретения является повышение точности. Указанная цель достигается введением в устройство аналого-цифрового преобразователя 12, блока 13 памяти параметров элементов, счетчика 8, индикатора 9 ном...
1348851Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора
Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике, а именно к исследованиям радиоэлектронной аппаратуры, в состав которой входят стабилитроны. Цель изобретения - расширение класса решаемых задач за счет моделирования работы полупроводникового прибора в условиях повышенной температуры и технологического разброса напряжения стабилизации. Достигают возможность моделирования р...
1599877