Устройство для моделирования полупроводникового элемента

Устройство для моделирования полупроводникового элемента

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Соаетских

Социалистических

Республик

ОПИСАпИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву 9732917 (22) Заявлено 110779 (21) 2795382/18-25 (51) М

Н 01 L 29/00

G G 7/62 с присоединением заявки М— (23) Приоритет—

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 151181 Бюллетень Й9 42

Дата опубликования описания 151181 (53) УДН 621. 382 (088. 8) (72) Авторы изобретению

М.С.Валитов, В.А.Волков, И.A.Çåëüö, еи.нц.еВ

И.И.Пестрякова, Н.С.Светцов, A. Н. Сы омятников . и М.С.Уманский

ij

Московский институт радиотехники, лектроники и автоматики (71) 3а яв итель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ЭЛЕМЕНТА

Изобретение относится к .радиоэлектронике и может быть использовано для анализа радиоэлектронных устройств в условиях воздействия различного рода облучения: длительного нейтронного

eL излучения, излучения, протонного.

По основному авт.св. Р 732917 наиболее близким по технической сущности является устройство для моделирования полупроводникового элемента, 10 состоящее из операционного усилителя с переменным резистором в цепи обратной связи, выход которопо подключен к входу источника тока, управляемого напряжением, содержащего 15 в качестве нагрузки выходной транзистор, коллектор которого соединен .с инвертирующим входом операционного усилителя посредством диода (1) .

Недостаток известного устройства заключается в том, что оно не позволяет работать с импульсными сигналами, для которых критичными являются времена фронтов.

Цель изобретения — улучшение частотных и переключательных свойств.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для моделирования полупроводникового элемента, состоящем из операционного усилителя с 30 переменным резистором в цепи обратной связи, выход которого подключен ко входу источника тока, управляемого напряжением, содержащего в качестве нагрузки выходной транзистор, коллектор которого соединен с инвертирующим входом операционного усилителя посредством диода,интертирующий и неинвертирующий входы опера-. ционного усилителя соединены через емкость.

На чертеже представлено устройство для моделирования полупроводникового элемента.

Устройство для моделирования полупроводникового элемента состоит из операционного усилителя (Оу) 1, в цепь обратной связи которого включено переменное сопротивление 2, источника тока 3, управляемого напряжением, состоящего, например, из операционного усилителя 4 и резисторов 5 — 8, содержащего в качестве нагрузки выхоДной транзистор 9, диода 10, включенного между коллектэром выходного транзистора 9 и инвертирующим входом. Между базой устройства и базой выходного транзистора 9 включена емкость 11. За базу устройства принимается инвертирующий

881898

Формула изобретения

1 (!

1 ! !

1 ! (1

1 д

Составитель В.Юдина

Редактор Л. Тюрина Техред С.Мигунова Корректор М.Шароши

Заказ 9988/81 Тираж 787 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская, наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", r.Óæãîðoä, ул. Проектная, 4 вход, за эмиттер и коллектор — соответствующие выводы выходного тран— зистора 9.

В базу устройства, являющуюся инвертирующим входом ОУ1, задается входной ток, проходящий через переменный резистор 2 и вызывающий на выходе напряжение,, пропорциональное входному току. С помощью источника тока 3, управляемого напряжения, в базу выходного транзистора 9 поступает ток, пропорциональный входному току устройства. В сответствни с входной характеристикой транзистора 9 на его базе появляется напряжение 0, которое, передаваясь на неинвертирующий вход, вызывает на инвертирующем входе, являющемся базой устройства, такое же напряжение U .Диод 10 обеспечивает влияние коллектора транзистора на входную характеристику устройства в схеме с общей базой. Таким образом, при из— менении сопротивления 2 изменяется коэффициент пропорциональности между входным током устройства и током базы выходного транзистора 9, а .следовательно, и выходным током транзистора, происходит изменение коэффициента передачи тока устройства для модели транзистора. При этом входные и выходные характеристики устройства остаются такими же, как в случае реального транзистора с полученным значением

Устройство для моделирования полупроводникового элемента, выполненное по данной структуре, позволяет подавать к входным клеммам модели эмиттер — база непосредственно вход ное сопротивление моделируемого транзистора. При изменении значения сопротивления резистора 2 уменьшается коэффициент передачи по току К„ транзистора и одновременно изменяется сопротивление эммитер — база устройства модели. Происходящие изменения отражают истинный характер изменений параметров транзистора под действием нейтронного потока.

Включение емкости позволяет получить улучшенные частотные и переключательные характеристики устрой15 ства для моделирования полупроводникового элемента, следовательно, позволяет работать с импульсными сигналами, для которых критичнымй яв- ляются времена фронтов.

2О

Устройство для моделирования полупроводникового элемента по авт. св. Р 732917 о т л и ч а ю щ е е— с я тем, что, с целью улучшения частотных и переключательных свойств, инвертирующий и неинвертирующий входы операционного усилителя соединены через емкость.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 732917, кл. G 06 G 7/62, 1977.