Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора

Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике, а именно к исследованиям радиоэлектронной аппаратуры, в состав которой входят стабилитроны. Цель изобретения - расширение класса решаемых задач за счет моделирования работы полупроводникового прибора в условиях повышенной температуры и технологического разброса напряжения стабилизации. Достигают возможность моделирования работы стабилитрона при воздействии температуры и технологическом разбросе параметров за счет того, что два усилительных транзистора имеют различную проводимость. В устройство вводят второй переменный резистор, образующий с первым переменным резистором делитель, включенный в базовую цепь первого усилительного транзистора, эмиттер которого, второй вывод первого переменного резистора, коллектор второго усилительного транзистора и катод запирающего диода объединены, второй вывод второго переменного резистора, эмиттер второго усилительного транзистора и анод запирающего диода также объединены, коллектор первого усилительного транзистора подключен к базе второго усилительного транзистора. 2 ил.

СОЮЗ СОЮТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (g1)g Г 06 Г 7/48

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО HBOEPETEHHRM И ОТКРЬП ИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4620433/24-24 (22) 14..1?.88 . (46) 15.10.90, Бюл. 1 38 (72) M.Ñ. Валитов, И.И. Лестрякова, В.Д. Андреев, F..A. Баранов и В.В. Каширин (53) 681.333(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 982030, кл. Г 06 Г 7/48, 1987, Авторское свидетельство ССГР

1251123, кл. Г 06 0 7/48, 1985. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ

РАБОТ&(ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА (57) Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике, а именно к исследованиям радиоэлектронной апапаратуры, в состав которой входят стабилитроны, Цель изобретения — расширение класса решаемых задач за счет моделирования работы полупроводникового прибора в условиях повышенной температуры и технологического

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике, а именно к области исследования радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), в состав которой входят стабилитроны.

Цель изобретения — расширение класса решаемых задач за счет модели» рования работы полупроводникового прибора в условиях повышенной температуры и технологического разброса напряжения стабилизации, На Аиг. 1 представлена схема устройства; на Аиг. 2 — вольт-амперные характеристики (ВАХ) стабилизатора

„„SU „„15998?7 А 1 разброса напряжения стабилизации.

Достигают возможность моделирования работы стабилитрона при воздействии температуры и технологическом разбросе параметров эа счет того, что два усилительных транзистора имеют различную проводимость. В устройство вводят второй переменный резистор, образующий с первым переменным резистором делитель, включенный в базовую цепь первого усилительного транзистора, эмиттер которого, второй вывод первого переменного резистора, коллектор второго усилительного транзистора и катод запирающего диода объединены, второй вывод второго переменного резистора, эмиттер второго усили- @ тельного транзистора и анод звпирающего диода также объединены, коллектор первого усилительного транзисто- С ра подключен к базе второго усилительного транзистора. 2 ил. и устройства, имитирующего воздействия температуры, Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора содержит первый 1 и второй 2 усилительные

1 транзисторы, первый 3 и второй 4 переменные резисторы, образующие делитель напряжения, запирающий диод 5.

Устройство работает следующим ббразом, Регулировка напряжения стабилизации осуществляется переменным резистором 3, а величина напряжения стабилизации определяется соотношением

1599877 номиналов резисторов 3 и 4. При уменьшении величины сопротивления резистора .4 увеличивается ток через транзистор 1, который, в свою очередь, является базовым током транзистора 2, 5 при этом выходное сопротивление транзистора 2 также уменьшается, что соответствует меньшему значению напряжения стабилизации устройства. ВАХ 0 модели стабилитрона в прямом направлении определяется диодом 5.

С помощью модели стабнлитрона можно устанавливать напряжение стабилизации от 0,7 до 15 В.

Измерение ВАХ устройства осуществляется с помощью прибора Л2-56.

Регулировка устройства для моделирования работы полупроводникового при.бора под определенный тип стабилитрона осуществляется прибором Л2-5б по, виду ВАХ. Напряжение стабилизации выставляется путем изменения сопротив- пения резистора 4 и получения необходимого соотношения номиналов сопротивлений резисторов 3 и 4. Динамическое сопротивление r устройства опре9 деляется по крутизне (наклону) ВАХ.

После этого r уточняется по схеме измерения r> йа переменном токе и снимается зависимость г = f(T. уст3 .сг ройства, которая должна соответствовать типовой зависимости, Одновременно осуществляется контроль И с помощью цифрового вольтметра В7-27, Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора, например, для моделирования стабилитрона

2С133А позволяет изменять U . (в пре- 40 делах температурных уходов или технологических разбросов) при неизменном г и изменять г при неизвестном

U, анное свойств позволяет нсвт

45 пользовать устройство для определения коэффициентов чувствительности стабилитрона на выходные параметра РЭА (при оценке их параметрической надежности) по параметрам И и r независт симо друг от друга.

Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора может быть использовано нри исследовании параметрической надежности РЭА для имитации U „ H r серийных стабилитронов с напряжейием стабилизации от 0,6 до 15 В, а также для исследования работы стабистора. При использовании устройства для имитации работы стабистора диод ) необходимо исключить из схемы (И устанавливается от 0,7 до 2 В).

Формула иэ обретения

Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора, содержащее первый и второй усилительные транзисторы и первый переменный резистор, первый и второй выводы которого подключены соответственно к эмиттеру и базе первого усилительного транзистора, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения класса решаемых задач эа счет моделирования работы полупроводникового прибора в условиях повышенной температуры и технологического разброса напряжения стабилизации, в него введены второй переменный резистор и запирающий диод, причем первый вывод первого переменного резистора подключен к коллектору второго усилительного транзистора и к катоду запирающего диода и является катодным выводом устройства, второй вывод первого переменного резистора соединен с первым выводом второго переменного резистора, второй вывод которого подключен к эмиттеру второго усилительного транзистора и к аноду запирающего диода и является анодным выводом устройства, коллектор первого усилительного транзистора подключен к базе второго усилительного транзистора.

1599877 бО

cma bvnu

2 С!4 7,4 уе иена Ья

pro3enu poto cr>

2О

«Lier, д

1 2 3

Icr, A бО

mEo Юм

Юомия

t0

ucr, В! 2 Э 4 5 б

Фиг 2

Составитель Н. Королев

Техред M.Äèäûê

Корректор 0. Кравцова

Редактор И. Сегляник

Заказ 3145 Тираж 564 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СЧСР

113035, Москва, Ж-.35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул. Гагарина, 101