Устройство для моделирования биполярного транзистора

Устройство для моделирования биполярного транзистора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОВРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советсиик

Социал нетичвсиик

Республик ((928376 (61 ) Дополнительное к а вт. с вид-ву (22) Занвлено 28.03.80 (2! ) 2900875/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.05.82. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 18.05.82 (5I)М. Кл.

606Ц 7/62

3Ьоударстееииый комитет

СССР (53) УДК 681.333 (088.8) до делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

M. С. Валитов, Б. А. Волков, И. А. Зельцер и И. И. Пестрякова

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (7) ) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОПЕЛИРОВАНИЯ

БИПОЛ ЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к исследованиям и измерениям параметров транзисторов, и может быть использовано для анализа поведения радиоэлектронных устройств в условиях воздействия различного рода облучения: нейтронного, j -излучения, cL - излучения, протонного.

Известно устройство для моделирования полупроводникового элемента, содер1О жащее операционные усилители, переменный резистор и транзистор. Данное устройство позволяет моделировать изменение коэффициента передачи по току транзистора 1 (.

Недостатки этого устройства заключаются в том, что точность моделирования определяется точностью совпадения парноподобных транзисторов. Кроме того, невозможно одновременно изменить входное сопротивление и коэффициент передачи по току, что не позволяет моделировать поведение транзистора в условиях нейтронного облучения.

Наиболее близкой по технической сущности к предлагаемому является модель биполярного транзистора, содержащая транзистор и операционный усилитель, в эмиттерную цепь транзистора, который соединен через резистор с инвертирую щим входом операционного усилителя, введен эталонный резистор, связанный с неинвертирующим входом операционного усилителя, выход которого соединен с усилителем мощности, связанным с базовой цепью входного транзистора (2) .

Недостатком данного устройства является сложность схемы и наличие внешних источников питания.

Бель изобретения - упрощение.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство для моделирования би-. полярного транзистора, содержащее первый транзистор и переменный резистор введен второй транзистор, при этом выводы переменного резистора подключены к базам обоих транзисторов соответственно, эмиттеры транзисторов объединены

Устройство для моделирования биполярного транзистора, содержащее первый, транзистор, и переменный резистор, о т— л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения, в него введен второй транзистор, при этом выводы переменного, резистора подключены к базам обоих транзисторов соответственно, эмиттеры

Зп транзисторов объединены и являются эмиттерным. входом устройства, база первого транзистора соединена с коллектором второго транзистора и является базовым входом устройства, а коллектор первого транзистора является коллекторным вхо3$ дом устройства, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР ао

% 631944, кл. Q 06 Q 7/62, 1977.

2. Авторское свидетельство СССР по,заявке No 2822923/27, кл. Н 01 1, 29/70, 1979.

3 928 и являются эмиттерным входом устройства, база первого транзистора соединена с коллектором второго транзистора и является базовым входом устройства, а коллектор первого транзистора является коллекторным входом устройства.

На чертеже представлена схема ус ройства для моделирования биполярного транзистора.

Устройство состоит из первого транзистора 1, в базовую цепь которого вклю-! чен переменный резистор 2, одновременно включенный в базовую цепь второго транзистора 3, эмиттеры транзисторов 1 и 3 объединены и являются эмиттерным входом устройства (Э), база транзистора 1 соединена с коллектором транзистора 3 и является базовым входом устройства (Б), коллектор транзистора 1 является коллекторным входом устройства (К).

Устройство работает следующим образом.

Для быстрого исследования поведения, радиоэлектронных устройств в специальных условиях достаточно изменять усилительные свойства транзистора от номинальных значений до минимальных, что соответствует различным дозам об., лучения.

Входной ток устройства 36> является суммой трех токов jy,g(Qg . Промежуток коллектор -эмиттер транзистора 3 предс гавляет собой генератор тока, величина которого зависиъ от 3р< а следовательно, от величины сопротивления резистора 2. Таким образом, при подаче на базовый вход тока З „, величина коллекторного тока 3< транзис 1 тора 1 будет также зависеть от величины сопротивления резистора 2. Отношение 3 к 3g есть коэффициент усиления по току В устройства. При сопротивлении м

376 1 резистора 2, стремящемся к со токи 3р и 3 стремятся к нулю, следовательно, 3 = 3p и Б устройства равен значению

Я коэффициента усиления по току транзистора 1, При, уменьшении сопротивления резистора 2 ток базы транзистора 1 по сравнению с входным током устройства уменьшается, следовательно, уменьшается и J<„, что со стороны внешних за1д жимов устройства эквивалентно уменьшению Б.

Преимуществом предлагаемого уст ройства является отсутствие внешних дополнительных источников питания, простота изготовления и эксплуатации. Для создания модели могут быть использованы серийные транзисторы.

Формула изобретения

ВНИИПИ Заказ 3242/62

Тираж 732 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород,ул.Проектная,4