Устройство для жидкостной обработки полупроводниковых пластин

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано, например , при химической обработке полупроводниковых пластин. Цель изобретения - повышение качества полупроводниковых пластин достига.ется благодаря тому, что стенки эластичной герметичной камеры 3 прижимаются к кромке пластины 8. К элементу 6, расположенному на опорном выступе 2, подводят электрический потенциал и осуществляют жидкостную обработку одной стороны пластины 8. 2 ил. с 1C сд 00 УЯ фи8.2

СОЮЗ CGBETCHHX

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (so 4 Н 01 Ь 21/306 iчт y g

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

М. А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ,ц

j фив 2

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3779574/24-21 (22) 10.08.84 (46) 15.09.86. Бюл. М-* 34 (72) К.П.Николаев, В.Д.Соломатин, B.М.Новицкий и Л.Н,Немировский (53) 621.382.002(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N 879678, кл. Н 01 Ь 21/00, 07. 11.81.

Патент США N - 4043894; кл. 204/297 М, 23.08.77.

„„SU„„1257730 A 1 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОСТНОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН (57) Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано, например, при химической обработке полупроводниковых пластин. Цель изобретения — повышение качества полупроводниковых пластин достигается благодаря тому, что стенки эластичной герметичной камеры 3 прижимаются к кромке пластины 8. К элементу 6, расположенному на опорном выступе 2, подводят электрический потенциал и осуществляют жидкостную обработку одC ной стороны пластины 8. 2 ил. е

1257730 формула изобретения фие f

Составитель Г.Падучин

Редактор Ю.Середа Техред Л.Олейник Корректор А,Зимокосов

Заказ 5033/52 Тираж 643 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при химической и электрохимической обработке полупроводниковых или иных пластин, например для травления, анодного окисления, получения слоев пористого кремния и т.д.

Цель изобретения — повышение ка10 чества полупроводниковых пластин путем защиты необрабатываемой стороны от попадания обрабатывающей жидкости.

На фиг.1 схематически изображено устройство, разрез, на фиг.2 — то же,в рабочем положении.

Устройство содержит держатель полупроводниковой пластины в виде стакана 1, на дне которого имеется опорный выступ 2, уплотнительный элемент, выполняемый в виде эластичной герметичной камеры 3, размещенной на стенках стакана 1, полость которой снабжена патрубком 4 для напуска сжатого газа, трубку 5 и электрический кон25 такгный элемент 6 с проводником 7, размещенный на опорном выступе 2.

Устройство используют следующим образом, Обрабатываемую пластину 8 помещают на контактный элемент 6 и подают б сжатый газ в полость камеры 3. При этом стенки камеры 3 прижимаются к кромке пластины 8 и герметично уплотняют ее. Затем к элементу 6 подводят (в случае необходимости) электрический потенциал и осуществляют жидкостную обработку одной стороны пластины 8. При этом обрабатывающая жидкость не проникает на цругую сторону пластины 8.

Устройство для жидкостной обработки полупроводниковых пластин, содержащее держатель полупроводниковой пластины, электрический контактный элемент и уплотнительный элемент, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества полупроводниковых пластин путем защиты необрабатываемой стороны от попадания обрабатывающей жидкости, держатель полупроводниковой пластины выполнен в виде стакана, на дне которого выполнен опорный выступ для размещения полупроводниковой пластины, а уплотнительный элемент выполнен в виде эластичной камеры, размещенной на стенках стакана, полость которой снабжена патрубком для напуска сжа" того газа.