Шихта для изготовления сегнетокерамического материала

Шихта для изготовления сегнетокерамического материала

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н A STOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР пО делАм изОБРетений и ОтнРытий (21) 3908183/29-33 (22) 01.04.85 (46) 23.09.86. Бюл. Ф 35 (72) Ф.К. Алексеева, Э.И, Мамчиц, И.Г. Бертош, E.В. Питушко, С.М. Трояновская, Л.И. Егоров, В.Ф. Ларичева, В.В. Самойлов, Б.А. Ротенберг, M.П. Дорохова и Т.А. Балакишиева (53) 666.655 (088.8) (56) Андреева Н.А. и др. Новые сегне« . токерамические материалы для конденсаторов. Вопросы радиоэлектроники, сер. Ш, вып. 5, 1962.

Авторское свидетельство СССР

В 578288, кл. Н 01 G 4/12, 1975. (54)(57) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА, содер„„SU„„125 825 А1 (д1} 4 С 04 В 35/46 Н Ol G 4/12 жащая ВаТ О, МпСО, Nb О и оксид из группы Sm О, Nd О, и Рг О„, отличающаяся тем, что, с целью снижения диэлектрических потерь и повышения сопротивления изоляции керамики при максимальной рабочей температуре, она дополнительно содержит CaZrOg и Т О при следующем соотношении компонентов, мас.Е:

ВаТ10з 91,0-98,6

МпСО> 0,1-0,3

ЧЬ205 0,5-2,0

Оксид из группы

SSmmaOO3

Иа 203

Ргб 0„ 0,2-1,0

CaZr0ç 0,5-5, 0

Ti0 О, 1-0,7

12588

Свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных кон20 денсаторов приведены в табл. 2.

Таблица 1

94,8

98,6

ВаТ О

CaZr0 з

2,?5

0,5

0,3

0,2

0,1

1,25

0,5

Nb О

0,7

0,4

Т1.0

0,1

Оксид из ряда, включающего з ° Я з иРг О„, 0,6

0,2

Таблица 2

Средние значения электрических параметров

Состав

1 "10

1 10

3100

0,6

+14

0,6

3000

1 10

2960

0,7

+15

ВНИИПИ Заказ 5086/25 Тираж 640 Подписное

Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления. низкочастотных керами- 5 ческих конденсаторов.

Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь и повьппение сопротивления изоляции керамики при максимальной рабочей температуре.

Предлагаемую шихту для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала получают следующим образом.

Предварительно известным в керами- 15 ческом производстве образом изготавливают спеки титаната бария и цирконата кальция. Полученные спеки измельчают до удельной поверхности

4000-5000 см /r. Измельченные спеки, 25 1 углекислый марганец, оксид ниобия, оксид титана и оксид редкоземельного элемента из группы, включающей: самарий, неодим и празеодим, взятые в требуемом соотношении, смешивают друг с другом и измельчают полученную смесь до удельной поверхности

5000-7000 см /r Полученную таким образом керамическую шихту используют для изготовления конденсаторного диэлектрика, из которого известным образом формуют заготовки конденсаторов и обжигают их при

1300-1390 С в течение 2 часов.

Примеры составов предлагаемой шихты приведены в табл. 1.