PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ДОРОХОВА МАРГАРИТА ПЕТРОВНА

Изобретатель ДОРОХОВА МАРГАРИТА ПЕТРОВНА является автором следующих патентов:

Состав шихты для изготовления ке-рамического материала c высокой диэлектрической проницаемостью

Состав шихты для изготовления ке-рамического материала c высокой диэлектрической проницаемостью

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1Щ 8 I0643 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.02.79 (21) 2724536/29-33 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.03.81. Бюллетень № 9 (45) Дата опубликования описания 07.03.81 (51) M. Кл,з С 04В 35/00 Государственный комитет (53) УДК 666.655 (088.8)...

810643

Шихта для изготовления керамического материала

Шихта для изготовления керамического материала

  ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА преимущественно для многослойных конденсаторов, содержащая титанат бария, -станнат кальция, марганец углекислый и глину огнеупорную, о тли чающаяся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, уменьшения размера кристаллов и расишрения интервала температур обжига, она дополнительно содержит оксиды самария и цинка при сл...

1035015

Шихта для изготовления сегнетокерамического материала

Шихта для изготовления сегнетокерамического материала

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н A STOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР пО делАм изОБРетений и ОтнРытий (21) 3908183/29-33 (22) 01.04.85 (46) 23.09.86. Бюл. Ф 35 (72) Ф.К. Алексеева, Э.И, Мамчиц, И.Г. Бертош, E.В. Питушко, С.М. Трояновская, Л.И. Егоров, В.Ф. Ларичева, В.В. Самойлов, Б.А. Ротенберг, M.П. Дорохова и Т.А. Балакиш...

1258825

Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала

Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала

  Изобретение относится к области радиоэлектронной техники, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных конденсаторов. Для сокращения потерь керамики по микротрещинам при пайке к ней выводов шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки глину при следующем соотношении...

1474149

Шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов

Шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов

  Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано в производстве многослойных монолитных керамических конденсаторов. Для снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов содержит дополнительно Y 2O 3 при следующем соотношении комп...

1583393


Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала

Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала

  Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и радиотехники и может быть использовано в производстве однослойных и многослойных монолитных керамических низкочастотных конденсаторов по группе Н90. Для повышения диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического конденсаторного материала содержит в качестве цирконата щелочноземельного элемента BaZr03...

1631056

Шихта сегнетокерамического материала для термостабильных конденсаторов

Шихта сегнетокерамического материала для термостабильных конденсаторов

  Сущность изобретения: шихта включает (мае. %) термически разложенный титанилоксалат бария 99,11-99,35; пентоксид ниобия 0,57-0,73; оксид кобальта 0,08-0,16. Материал готовят по обычной керамической технологии, перед смешиванием компонентов шихты проводят прокалку титанил-оксалата бария при температуре 1100°С. Материал, полученный из предложенной шихты, имеет следующие хар...

1726452

Низкотемпературный сегнетокерамический конденсаторный материал

Низкотемпературный сегнетокерамический конденсаторный материал

  Использование: в производстве керамических монолитных конденсаторов II типа подкласса 2Е. Сущность изобретения: низкотемпературный се гнетокерамическии конденсаторный материал содержит, мас.%; титанат бария 82,44 - 89,24, цирконат кальция 5,34 - 7,52; оксид неодима 0,77 - 1,41; пентоксид ниобия 0,24 - 0,56; оксид цинка 1,36- 1,88; углекислый марганец 0.05 - 0,19; цинкоборатное ст...

1791428