Шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов

Шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано в производстве многослойных монолитных керамических конденсаторов. Для снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов содержит дополнительно Y 2O 3 при следующем соотношении компонентов, мас.%: BATIO 3 88,00-89,90

CAZRO 3 7,50-7,90

ZNO 1,40-1,65

ND 2O 3 0,80-1,40

NB 2O 5 0,30-0,60

MNCO 3 0,05-0,15 и Y 2O 3 0,05-0,30. Полученный из указанной шихты материал имеет следующие характеристики: ε 20 9000-14000

Δε/ε в интервале температур (-60...+85)°С - 48...-84%

TGδ 0,0021-0,0048. 2 табл.

СОЮЗ COBETCHHX

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (191 (111

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

flO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPblTHRM

ПРИ ГННТ СССР (21) 4478198/23-33 (22) 05„09.88 (46) 07.08.90. Бюл. Ь"- 29 (72) M.П. Дорохова, Б.А. Ротенберг, Л.Е. Ревина, JI.Â. Кускова, Э.П. Продавцова и.И.А. Юргенсон (53) 666.638(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

1Ф 1244 129, кл. С 04 В 35/46, 1986.

Авторское свидетельство СССР

N - 810643, кл. С 04 В 35/46, 1981. (54) ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ КОНДЕНСАТОРОВ (57) Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано в гроизводстве мноИзобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано в производстве многослойных монолитных керамических конденсаторов, Цель изобретения — снижение диэлектрических потерь и повышение темпе-. ратурной стабильности диэлектрической проницаемости материала.

Материал приготавливается по обычной керамической технологии: сухой помол в вибромельнице с резиновой футеровкой и стальными шарами в течение

2-4 ч до удельной поверхности не ме l нее 5500 см /r. Загрузку компонентов проводят согласно указанному соотношению компонентов. В полученную массу вводят связку (поливиниловый спирт в количестве 8Е) и методом прессования изготавливают образцы в виде дисков Д1) С 04 В 35/46 Н 01 G 4/12

2 гослойных монолитных керамических конденсаторов., Для снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов содержит дополнительно 7209 при следующем соотношении компонентов, мас.Е: BaTiOg 88,00-89,90;

CaZr()g 7,50-7,90; ZnO 1,40 — 1,65;

1Ы О 0,80-1,40; ИЬ О 0,30 — 0,60;

МпС(э О, 05-0, 1 5 и Y 0 О, 05-0, 30.

Полученный из указанной шихты материал имеет следующие характеристики:

Е „9000-14000; E/ E в интервале температур (-60...+85) С -48...-843; сд Х 0,0021-0,0048. 2 табл. 5

1 для испытаний. Образцы обжигают в ино тервале температур 1320-1380 С, затем наносят элекгрод методом вжигания сео ребряной пасты при 800 С и измеряют электрические характеристики.

Составы ыихты приведены в табл. характеристики материала, полученного из указанных составов, — в табл. 2.

Формула изобретения

Иихта сегнетокерамического материала для конденсаторов, включающая

ВаТ О,, CaZr03, ZnO, Nd<0, Nb Os- u

МпСОз о т л и w a ю щ а я с я тем что, с целью снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала, она содержит дополнительно Y O при следующем соотношении компонентов, мас.Х:

1583393

ВаТ10

CaZr0

Zn0

Ясно э 1Ь,Оу

МпСО, У О э

88,00-89,90

7,50-7,90

1,40-1,65

0,80-1,40

0,30-0,60

0,05-0,15

0,05-0,30

Та блица 1

Содержание, мас.Х, в составе

Компоненты шнхты

Таблица 2

Показатели для состава

Хара кт еристики

) 13100-14000 9000-9500 12000-13400 10000-14000

-48-71

-74-84

-68-80

-95-75

0,35-0,48 0,21-0,26 0,30-0,45

0,50-0,75

Составитель Л. Косяченко

Редактор Н. Гунько Техред А. Кравчук - Корректор Т,Палий

Заказ 2228 Тираж 573 Подписное

ВИИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

BaTi0

СаZr03

Ий20 9 иь о

Zn0

Мгесоэ

,О, Диэлектрическая проницаемость E при 20 С

Относительное изменение диэлектрической проницаемости д Е(E в интервале температур (-60)-(+85) С, Ж

Тангенс угла диэлектрических потерь

СААР - 10

89 9

7,5

0,8

0,3

1,4

0,05

0,05

88

7,9

1,4

0,6

1,65

0,15

0,3

88,9

7,8

1,2

0,"4

1, 5

0,1

0,1