Состав шихты для изготовления ке-рамического материала c высокой диэлектрической проницаемостью

Состав шихты для изготовления ке-рамического материала c высокой диэлектрической проницаемостью

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1Щ 8 I0643

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.02.79 (21) 2724536/29-33 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.03.81. Бюллетень № 9 (45) Дата опубликования описания 07.03.81 (51) M. Кл,з

С 04В 35/00

Государственный комитет (53) УДК 666.655 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения В. В. Марчук, В. И. )Куковский, И. Г. Бертош, Г.

В. Ф. Ларичева, Н. С. Аборинская, Б. А. Ро

М. П. Дорохова, E. П. Палейко и А. М. Бу1тянова; — -. ейко, (71) .Заявитель (54) СОСТАВ ШИХТЫ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА С ВЫСОКОЙ

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ

Состав г

Состав 3

Состав 1

8;-1,0

7,7

1,2

0,4

1,6

0,1

Ва Т10

CaZrO;

1 1«а О 3

ХЬ,Ов

ZnO

МпСОа

90,0

7,5

0,8

0,25

1,4

0,05

87,7

8,0

1,5

0,6

2,0

0,2

Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в радиоэлектронной промышленности для изготовления электрических конденсаторов.

В отечественном и зарубежном конденсаторостроении широко применяются сегнетокерамические материалы с высокой диэлектрической проницаемостью на основе твердых растворов титаната бария и других соединений с добавками (1). 10

Указанные известные материалы имеют сравнительно невысокую диэлектрическую проницаемость или при высокой диэлектрической проницаемости имеют большие диэлектрические потери. 15

Техническим решением наиболее близким к изобретению является шихта для керамического материала на основе твердых растворов Ba TiO> — CaZr03 с добавками (2).

Однако материал, изготовленный из этой шихты, не обеспечивает сочетания достаточно высоких значений диэлектрической проницаемости электрического сопротивления с малыми диэлектрическими потерями.

Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости, удельного объемного сопротивления керамики, снижение диэлектрических потерь.

Указанная цель-достигается тем, что состав шихты для изготовления керамического материала с высокой диэлектрической проницаемостью, содержащей ВаТ10з и

CaZrO3, дополнительно содержит 1чдгОз, КЬгОз, ZnO и МпСОз при следующем соотношении компонентов, вес. :

Ва TiOç 87,7 — 90,0

CaZrO3 7,5 — 8,0

Ni1aOa 0,8 в 1,5

КЬгОз 0,25 — 0,6

ZnO 1,4 — 2,0

МпСОз 0,05 — 0,2

Для получения керамики предварительно синтезируемые BaTi03, CaZr03 и остальные компоненты, взятые в заданном соотношении, перемешивают в вибромельнице в течение 1 — 2 час. К полученному тонкоизмельченному (до ) 5000 смг/г) материалу добавляют технологическую связку и формуют заготовки конденсаторов, которые обжигают при 1320 — 1370 С в течение

2 — 5 час.

Конкретные примеры предлагаемой шихты приведены ниже, вес. %:

810643

Свойства керамики полученной из составов приведены в таблице.

Средние значения параметров

MV

Е

Составы шихты

tgo 10

pv ГОм ° м

T„С

+15

-;25 —,10

0,5

0,75

0,7

9,3

10500

Состав 1

Состав 2

Состав 3

5,9

5,7

Составитель Н. Фельдман

Техред И. Пенчко

Корректор О. Силуянова

Редактор И. Квачадзе

Заказ 512/6 Изд. № 208 Тираж 661 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография. пр. Сапунова, 2

Как видно из таблицы, предлагаемый материал характеризуется повышенной диэлектрической проницаемостью, удельным объемным сопротивлением и пониженными диэлектрическими потерями. 5

Формула изобретения

Состав шихты для изготовления керамического материала с высокой диэлектрической проницаемостью, содержащий BaTi03 10 и CaZr03, отличающийся тем, что, с целью повышению диэлектрической проницаемости удельного объемного сопротивления керамики, снижения диэлектрических потерь, он дополнительно содержит ХйгОз, 15

ХЬгОа, ZnO и МпСО3 при следующем соотношении компонентов, вес. %.

ВаТ10з 87,7 — 90

Са2гОз 7,5 — 8,0

NdaOs 0,8 — 1,5

МЬгОз 0,25 — 0,6

ZnO 1,4 — 2,0

МпСОз 0,05 — 0,20

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе изобретения

1. Авторское свидетельство СССР

Хо 395915, кл. С 04В 35/00, 1971.

2. Патент США Мв 2918381, кл. 106-39, 1959.