Коллекторная система растрового электронного микроскопа

Коллекторная система растрового электронного микроскопа

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электронно-оптическому приборостроению. Цель - повышение точности электронномикроскопического аналиэа. Коллекторная система растрового электронного микроскопа содержит пару сцинтшшяторов (с) 1 и 2, пару электродов (э) 5 и 6, блок И преобразования сигналов , включающий электронный коммута- 1 тор 12, логическое устройство (У) 13, запоминающее У 14. Цель достигается тем, что она снабжена второй парой С 3 и 4 и второй парой Э 7 и 8, при . этом пара С 3 и 4 установлена симметричИо относительно линии расположения пары С 1 и 2, а пары Э 5 и 6 и 7 и 8 установлены соответственно между парами С 1 h 2 и 3 и 4. Коллекторная система позволяет регистрировать вторичные электроны, вылетающие с площадок микронеровностей исследуемого участка объекта, опредег ленным образом ориентированных по азимуту в плоскости объекта, и получить более точную информацию о топологии объекта. 2 ил. ьэ сд СП ОО оэ

а) 4 Н О1 J 37 24

ГОСУДАРСТВЕННОЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬГПФ

°:":- :-.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ .

К ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3942505/24-21 (22,) 16.08.85 (46) 07.12.86. Бюл. У 45 (72) В.Н. Васичев, 10.С. Смирнов, А.А. Камунин, В.А. Савкин и Е.В. Горелов (53) 621.385.833 (088.8) (56) Патент Японии Ф 49-7985, кл. 99 С 31, опублик. 1974.

Авторское свидетельство СССР

У 1056309, кл. Н 01 J 37/244, 1983. (54) КОЛЛЕКТОРНАЯ СИСТЕМА РАСТРОВОГО

ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА (57) Изобретение относится к электронно-оптическому приборостроению.

Цель " повьииение точности электронномикроскопического анализа. Коллекторная система растрового электронного микроскопа содержит пару сцинтиллято„„SU„„1275583 А 1 ров (С) 1 и 2, пару электродов (Э)

5 и 6, блок 11 преобразования сигналов, вклюяающий электронный коммутатор 12, логическое устройство (У) 13, запоминающее У 14. Цель достигается тем, что она снабжена второй парой

С 3 и 4 и второй парой Э 7 и 8, при этом пара С 3 и 4 установлена симметрично относительно линии расположения пары С 1 и 2, а пары Э 5 и 6 и 7 и 8 установлены соответственно между парами С 1 М 2 и 3 и 4. Коллекторная система позволяет регистрировать вторичные электроны, вылетаю- . щие с площадок микронеровностей исследуемого участка объекта, опреде- а

Я ленным образом ориентированных по азимуту в плоскости объекта, и получить более точную информацию о топологии объекта. 2 ил.

1275583с этих площадок на сцинтилляторы 3 и 4 отсутствует, так как тормозящее поле находящихся под отрицательным потенциалом пар электродов 5 и 6, 7 и 8 не позволяет вторичным электронам попасть на эти сцинтилляторы.

С микронеровностей, имеющих площадки, наклоненные в сторону сцинтилляторов

3 и 4, появляется сигнал вторичных электронов соответственно на этих .сцинтилляторах. При этом тормозящее1 поле электродов препятствует попаданию вторичных электронов с этих площадок на сцинтилляторы 1 и 2. С площадки микронеровности с промежуточной ориентацией наклона, например, под 45О по отношению к оси пары сцинтилляторов 1 и 2 вторичные электроны попадут на смежные сцинтилляторы 2 и

3, но сигнал на них будет иным, чем, для случая нулевого угла по отношению к оси.

Таким образом, предложенная коллекторная система позволяет регистрировать вторичные электроны, вылетающие с площадок микронеровностей исследуемого участка объекта, определенным образом ориентированных по азимуту в плоскости объекта, и повысить точность регистрации. При этом поскольку блок ll преобразования предварительно может быть откалиброван на величины сигналов на соответ-. ствующих сцинтилляторах по углам наклона площадок микронеровностей, то различие в величинах сигналов с различных сцинтилляторов или их нулевые значения позволяют получить более точную информацию о топологии объекта.

Формула изобретения

Изобретение относится к электрон-. но-оптическому приборостроению, в частности к коллекторным системам электронно-зондовых приборов, например электронных микроскопов.

Целью изобретения является повышение точности электронно-микроскопического анализа за счет регистрации вторичных электронов по азимутальным направлениям. 10

На фиг. 1 показана коллекторная система в электронном микроскопе; на фиг. 2 — то же, вид по электроннооптической оси.

Коллекторная система содержит пер- 5 вую пару сцинтилляторов 1 и 2, установленных симметрично относительно электронно-оптической оси в перпендикулярной ей плоскости по направлению сканирования электронного зонда. 20

Вторая пара сцинтилляторов 3 и 4 установлена симметрично относительно линии расположения первой пары. Первая 5 и 6 и вторая 7 и 8 пары попарно симметричных электродов установ- 25 лены соответственно между первой и 2 и второй 3 и 4 парой сцинтилляторов. Сцинтилляторы находятся под положительным потенциалом, а пары. электродов — под отрицательным по- 30 тенциалом и расположены вокруг объекта 10.

Блок ll преобразования сигналов включает электронный коммутатор 12, соединенный с логическим устройством

13, предварительно откалиброванным с помощью эталонных меток с известной ориентацией и наклоном относительно осей сцинтилляторов и соединенным с запоминающим устройством 14.40

Коллекторная система работает следующим образом.

Под действием сканирующего электронного зонда с площадками микронеровности исследуемого участка объекта, наклоненной, например, в сторону сцинтиллятора 1, вторичные электроны попадают на этот же сцинтиллятор, в результате чего на вход блока 11 преобразования поступает сигнал, который используется для получения информации о топологии данного исследуемого участка объекта 10. Вторичные электроны с площадки той же микронеровности, наклоненной в сторону сцин-55 тиллятора 2, попадают на этот сцинтиллятор и далее в виде сигнала в блок преобразования. При этом сигнал

Коллекторная система растрового электронного микроскопа, содержащая пару сцинтилляторов, установленных симметрично относительно электроннооптической оси в перпендикулярной к ней плоскости, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что, с целью повышения точности электронно-микроскопического анализа за счет регистрации вторичных электронов по азимутальным направлениям, она снабжена второй парой сцинтилляторов, установленных симметрично относительно линии расположения первой пары сцинтилляторов, и двумя парами симметрично размещенных.электродов, чередующихся с сцинтилляторами первой и второй пар.

1275583

10

Составитель В. Гаврюшин

Техред Я.вардания

Корректор А. Зимокосов

Редактор Л. Гратилло

Тираж 643

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 6572/48

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4