Матричное запоминающее устройство

Матричное запоминающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

129391

Класс 42m, 14 g ссср

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Поописная группа М 174

В. Е. Бандура

МАТРИЧНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Занв,.нно 14 сснтибри 1969 г. ва X 638690 26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» . 6 12 <а 1960 г.

Известны запоминающие устройства матричного типа, выполненные с использованием технологии печатных схем, а также матричные запоминающие устройства с элементами памяти на пленочных магнитных материалах с прямоугольной петлей гнстерезиса.

Предлагаемое матричное запоминающее устройство с пленочноч структурой, предназначенное для хранения информации, заданной в двоичном коде, отличается от известных тем, что, с целью повышения экономичности, быстродействия и уменьшения габаритов, запомнна|ощие элементы, составляющие замкнуту1о магнитную систему, состоят из слоев пленочного материала, имеющих преимущественное намагничивание вдоль плоскости пленки, слоев пленочных петлеобразных проводников со слоями диэлектриков между ними и промежуточного слоя магнитной пленки с преимущественным намагничиванием в направ.ленин перпендикулярном плоскости пленки.

Принципиальная схема предлагаемого устройства изображена нз чертеже.

Матричное запоминающее устройство выполняется последовательным нанесением на изоляционную подложку (например, керамнческу1о) методом распыления пленочных слоев специальной конфигурапнн сл:дующих видов материалов: магнитного с прямоугольной петлей гистер".зиса, проводящего и изоляционного. Первым на подложку наноснт.ч сплошной слой магнитного материала, имеющего преимущественное намагничивание вдоль плоскости пленки; затем через трафарет наносится слой изоляции и за ннм первая петлеобразная обмотка 1. Дал: с наносятся: изоляция, обмотка считывания 2, изоляция, вторая петлеобразная обмотка 8 н еще изоляция. В области 4, охватываемой петлямн первой и второй обмоток, наносится магнитный материал с пренмугцественным намагничиванием в направлении перпендикулярном к плокости пленки. Последним наносится сплошной слой магнитного материала с преимущественным намагничиванием вдоль плоскости пленки.

В результате получается матрица из магнитных сердечников, образующихся в общей области двух пересекающихся линий первой н второй петлеобразных обмоток (например, область 4). Каждый из образованных таким образом магнитных сердечников при достаточном суммарном токе в обмотках 1 и 8 может быть перемагничен B одно нз двух ус¹ 129391 тойчивых состояний. Следовательно, подав импульс записи по первой и второй обмоткам, можно в любом участке матрицы записать «1» или

«0» в зависимости от полярности импульсов и принятого направления перемагничиваыия. Считывание информации производится по обмотке считывания 2. Для компенсации полутоков в обмотке считывания 00следняя имеет обычную зигзагообразную конструкцию.

Пленочная структура предлагаемого устройства обеспечивает возможность использования чистых металлов, имеющих высокие электрические характеристики, и позволяет повысить экономичность, быстродействия и уменьшить габариты.

Кроме того, малые габариты сердечника позволяют иметь дело со структурой, состоящей из небольшого количества доменов, что, в свокз очередь, обеспечивает большее быстродействие за счет уменьшения времени переключения.

Предмет изобретения

Матричное запоминающее устройство с элементами памяти на пленочных магнитных материалах с прямоугольной петлей гистерезиса, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения экономичности, быстродействия и уменьшения габаритов, оно состоит из слоев пленочного материала, имеющих преимущественное намагничивание вдоль плоскости пленки, слоев петлеобразных проводников со слоями диэлектриков между ними и промежуточного слоя магнитной пленки с преимущественным намагничиванием в направлении перпендикулярном плоскости пленки, расположенных таким образом, что они образуют запоминающие элементы, составляющие замкнутую магнитную систему.

Редактор КС С. Кутафина Текред А. A. Камышникова Корректор Г. С. Голубятникова

Лак. 6567 Цена 25 коп. Тираж 750

Поди. к печ. 15.VIII-60 r. Формат бум. 70Х108 /,6 Объем 0,17 и. л.

Информационно-издательский отдел Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6. типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СС!Л?

Москва, Петровка, 14