G11C11/15 - с использованием нескольких магнитных слоев (G11C 11/155 имеет преимущество)

Матричное запоминающее устройство

129391 Класс 42m, 14 g ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Поописная группа М 174 В. Е. Бандура МАТРИЧНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Занв,.нно 14 сснтибри 1969 г. ва X 638690 26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» . 6 12

129391

Запоминающий элемент на спин-вентильном магниторезистивном эффекте

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к магнитным запоминающим устройствам с произвольной выборкой информации. Сущность: запоминающий элемент снабжен двумя низкорезистивными проводниками, например, из меди, расположенными соответственно между трехслойной полоской и первым защитным слоем и трехслойной полоской и вторым изолирующим слоем и разделенными между со...

2066484

Магниторезистивная ячейка памяти

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройствам с произвольной выборкой информации. Целью изобретения является уменьшение токов управления при тех же размерах магниторезистивной ячейки памяти, что приведет к увеличению плотности информации благодаря уменьшению размеров полупроводниковых схем управления, расположенных на той же подложке, уме...

2081460

Переключаемый элемент с памятью

Изобретение относится к области элементов автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей запоминающего элемента. Поставленная цель достигается тем, что расположенный над полоской центральный проводник 9 нанесен относительно нее таким образом, чтобы магнитн...

2093905

Магнитный инвертор

Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. Изобретение позволяет создавать логические элементы на базе спин-вентильных магниторезистивных структур для работы в тяжелых эксплуатационных условиях. Инвертор содержит кремниевую подложку. На подложке последовательно расположены первый изо...

2120142

Тонкопленочный магнитный инвертор

Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. Технический результат - создание тонкопленочного магнитного инвертора микронных размеров на базе спин-вентильных магниторезистивных структур с реально достигнутой величиной спин-вентильного магниторезистивного эффекта, изготовляемого по инте...

2168774

Многослойная тонкопленочная магниторезистивная наноструктура

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных тонкопленочных наноструктур с анизотропным или гигантским магниторезистивным (МР) эффектом. Техническим результатом изобретения является создание многослойной тонкоп...

2294026

Многослойная магниторезистивная наноструктура

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом. Техническим результатом изобретения является получение многослойной МР наноструктуры из магнитных наноостровов, имею...

2318255

Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, магнитных запоминающих и логических элементах, спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Техническим результатом является создание магниторезистивной наноструктуры, технология производства которой гарантирует требуемые парамет...

2408940

Способ записи в запоминающее устройство, основанное на mram, при уменьшенной потребляемой мощности

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потребляемой мощности при записи в запоминающее устройство. Способ записи в запоминающее устройство, содержащее множество ячеек магниторезистивной оперативной памяти (MRAM), причем каждая ячейка MRAM, которая должна быть записана в процессе записи с использованием технологии (TAS) термического переключ...

2546572

Магнитное устройство с оптимизированным ограничением тепла

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потерь тепла в магнитном туннельном переходе. Магнитный элемент, записываемый с использованием операции записи с термическим переключением, содержит магнитный туннельный переход, образованный туннельным барьером, расположенным между первым и вторым магнитными слоями, причем второй магнитный слой имеет...

2553410

Термический магнитный элемент памяти с произвольным доступом с увеличенной долговечностью

Настоящее изобретение предлагает магнитный элемент (1) памяти, пригодный для операции записи с термическим переключением, содержащий линию (4) тока в электрическом сообщении с одним концом магнитного туннельного перехода (2), где магнитный туннельный переход (2) содержит: первый ферромагнитный слой (21), имеющий фиксированную намагниченность; второй ферромагнитный слой (23), имеющий намагниченно...

2565161

Магниторезистивная ячейка памяти и способ ее использования

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении технологии изготовления магниторезистивной ячейки памяти. Магниторезистивная ячейка памяти содержит перемагничиваемый и неперемагничиваемый слои, разделенные барьерным слоем, а также средства записи и считывания, при этом дополнительно содержит закрепляющий слой из полупроводникового материала p- или n-...

2573200

Многобитовая ячейка с синтетическим запоминающим слоем

Изобретение относится к области электроники, а именно к способу записи и считывания более чем двух битов данных для ячейки магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM). Ячейка MRAM содержит магнитный туннельный переход, образованный из магнитного слоя считывания, имеющего намагниченность считывания, и запоминающий слой, содержащий первый запоминающий ферромагнитный слой, имеющий перву...

2573457

Ячейка магнитной памяти с произвольным доступом с улучшенным рассеиванием переключающего поля

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в понижении потребления электроэнергии и улучшении рассеивания переключающего поля. Ячейка магнитной памяти с произвольным доступом (MRAM) содержит туннельный магнитный переход, содержащий первый ферромагнитный слой, второй ферромагнитный слой, имеющий вторую намагниченность, которая может быть ориентирована относи...

2599956

Запоминающее устройство на основе изменения сопротивления

Группа изобретений относится к запоминающим устройствам. Технический результат – сокращение времени записи/считывания. Для этого согласно одному варианту осуществления запоминающее устройство на основе изменения сопротивления включает в себя ячейку запоминающего устройства, считывающий усилитель и глобальную битовую линию. Ячейка запоминающего устройства располагается в местоположении, в котором л...

2620502

Магнитная память и способ управления ею

Группа изобретений относится к магнитной памяти и способу управления магнитной памятью. Магнитная память содержит массив ячеек, включающий в себя множество ячеек памяти, расположенных вдоль первого и второго направлений, при этом массив ячеек включает в себя первую область и вторую область вокруг первой области, и каждая ячейка памяти включает в себя элемент с магниторезистивным эффектом в качеств...

2628221

Полупроводниковое запоминающее устройство

Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что полупроводниковое запоминающее устройство включает массив ячеек, включающий в себя множество элементов изменения сопротивления, сформированных над полупроводниковой подложкой, множество первых транзисторов ячеек, сформированных на полупроводниковой подложке и обеспеченных в ассоциации с элементами изменения со...

2642960

Магниторезистивное запоминающее устройство

Согласно одному варианту осуществления магниторезистивное запоминающее устройство включает в себя подложку, имеющую первую поверхность, которая включает в себя первое направление; и запоминающие элементы, имеющие переключаемое сопротивление. Первый столбец запоминающих элементов, выстроенных в линию вдоль первого направления, отличается от смежного второго столбца запоминающих элементов, выстроенн...

2653131

G11C11/15 - с использованием нескольких магнитных слоев (G11C 11/155 имеет преимущество)

Патенты в этой категории