Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем

Реферат

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 ^-2 - 1·10^-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при температуре подложки 293-573 K, плотности мощности разряда (2-6) ·10⁴ Вт/м ² до толщины перехода структуры пленки из островковой в сплошную.