Васильев С.С.

 Способ изготовления МДП интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации в две стадии путем нанесения тонкого слоя металлизации и слоя металлизации до требуемой толщины методом магнетронного распыления, формирование рисунка элементов металлизации с помощью литографии и отжиг, отлич...

 1. Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации на основе алюминия и кремния, формирование элементов металлизации и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров, в слой металлизации дополнительно вводят фосфор при сл...

 Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 -2 - 1·10-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой то...

 Способ изготовления интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями первого слоя кремния, слоя силицида тугоплавкого металла, второго слоя кремния, формирование рисунка элементов металлизации, формирование пассивирующего покрытия высокотемпературным отжигом в среде кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизич...

 Изобретение относится к кожевенной промышленности и позволяет повысить качество покрытия за счет улучшения гигиенических и эстетических свойств при сохранении физико-механических показателей и улучшить условия труда. На кожу хромового дубления наносят пропитывающий грунт, пигментированный грунт и покрывную краску на основе акриловой эмульсии. Затем кожу обрабатывают низкочастотной плазмой...

 Способ изготовления контактов Шоттки, включающий нанесение на полупроводниковую подложку с высокоомным эпитаксиальным слоем пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава и дополнительной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет снижения токов утечки и повышения термополевой стабильности, нанесение пленки на основе тугоплавкого металла или...

 Изобретение относится к машиностроению, в частности к механической обработке металла. Техническим результатом предложения является получение округления кромки заданного радиуса по всей длине листа. Устройство состоит из торцевой иглофрезы 1, насаженной на ось 2, в средней части ее нарезаны шлицы 3, находящиеся в зацеплении со шлицами 4 на трубчатой оси 5, установленной в радиальных подшип...