Тигель для вытягивания монокристаллов полупроводниковых материалов

Тигель для вытягивания монокристаллов полупроводниковых материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 133238

Класс Яд, ), с-, :.л с"., ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подпасная гр1, ппа. Лг 161

Э, М. Титова, М. Я. Дашевский и Б. К. Воронов

ТИГЕЛЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Заяв tello !О икгия 1!)59 г. за ¹ 660776122 в Копиист но «елам изобретений и откргятий нри Совсп Министров CCCI

Оиубликоваио в «Бюллетене изобретении» ¹ 21 за 1960 г.

Р1звсстный метод Чохра IbcKoi.o, применяемый в практике для получения полупроводниковых веществ, нс обеспечивает равномерное распределение примесей, а следовательно, п электролитических свойств по длине кристалла, что затрудняет массовое изготовление полупроводниковых приборов со стаопльными и воспроизводимыми характеристиками.

Описываемая конструкция тигля обеспечивает постоянство концентрации примесей в расплавс и равномерное распределение их по длине кристалла.

На чертеже изображен тигель, об цпй вид.

Тигель выполняется в впдс дву. сообщающихся сосудов 1 и 2, соединенных трубкой 3. Во внутренний сосуд 1 помещается навеска материала с примесью в нужной концентрации, которая должна быть равна заданной концентрации в выращивасмом кристалле, поделенной на коэффициент распределения. Во внешний тигель помещается чистый материал или материал с примесями выбранной концентрации. Соединительная трубка 8 имеет такую длину п диаметр, при которых можно пренебречь днффузнсй примеси из внутреннего сосуда во внешний. Поддержание постоянной концентрации примеси в расплавс достигается подпиткой материалом из внешнего тигля. Размеры сообщающихся сосудов H пх соотношение определяются по формуле, в зависимости от природы лсгирующей примеси.

Путем соответствующего подбора формы внешнего тигля осуществляется программное питание расплава при получении кристалла с участками, содержащими различнос, но заданное количество примеси.

Предмет изобретения

Тигель для вытягивания монокрпсталлов полупроводниковых материалов, выращиваемых по способу Чохральского, от л ич аю щи и с я тем, что, с целью обеспечения постоянной концентрации примеси в расплаве, он выполнен в виде жестко соединенных и расположенных один в другом сообщающихся сосудов.

Формат бум. 70+108 /iq Объем 0,17 и. л.

Тираж 700 Цена 25 коп.; с 1.1-61 r. — 3 ког,.

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6

Подп. к печ. 17.XI-60 г

Зак. 9579

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.

Редактор Н. Л, Леонтьева Техред А. A. Кудрявицкая Корректор В. Фомина