C30B15/12 - методы двойного тигля — все патенты категории

Тигель для вытягивания монокристаллов полупроводниковых материалов

№ 133238 Класс Яд, ), с-, :.л с"., ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подпасная гр1, ппа. Лг 161 Э, М. Титова, М. Я. Дашевский и Б. К. Воронов ТИГЕЛЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ Заяв tello !О икгия 1!)59 г. за ¹ 660776122 в Копиист но «елам изобретений и откргятий нри Совсп Министров CCCI Оиубликоваио в «Бюллетене изобретении» ¹ 21...

133238

Способ выращивания монокристаллов на основе сложных окислов и устройство для его осуществления

1. Способ выращивания монокристаллов на основе сложных окислов, включающий плавление исходного материала в тигле с помощью индуктора и вытягивание на монокристаллическую затравку из расплава в тигле, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества примесей и увеличения срока службы тиглей, исходный материал загружают между тиглем и индуктором , расплавляют его с образованием...

904347

Холодный тигель

Изобретение касается холодного тигля для плавления и кристаллизации неорганических соединений. И позво-- ляет обеспечить выращивание совершенных кристаллов. Тигель выполнен в форме металлических охлаждаемых изнутри трубок, образующих его стенки, вокруг которых расположена .индукционная катушка. Под дном тигля расположена дополнительная независимая индукционная катушка. Получают к...

1384209

Холодный тигель

Изобретение относится к холодному тиглю для плавки и кристаллизации неорганических соедин-ений методом гарнисажа и обеспечивает увеличение размеров монокристаллов. Тигель выполнен в форме металлических охлаждаемых изнутри трубок, образующих его стенки. Тигель имеет охлажденное дно из диэлектрического материала, на котором установлен электропроводный элемент, инертный к расплаву....

1433420

Способ выращивания монокристаллов твердых растворов халькогенидов сурьмы и висмута

Использование: для выращивания полупроводниковых материалов методом Чохральского. Сущность изобретения: монокристалл выращивают на затравку конической формы с диаметром основания, равным диаметру монокристалла. Перед выращиванием затравку опускают в расплав температурой 600oС и выдерживают 20 - 30 мин при наличии радиального градиента температуры 5 - 6oС/мм. Вытягивание ведут со скоростью...

2058441

Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления

Изобретение может быть использовано в полупроводниковом производстве для получения монокристаллических слитков германия. Сущность изобретения: устройство (фиг. 1) представляет собой микропроцессорную систему управления по выращиванию монокристаллических слитков германия по методу "Чохральского", на базе микроЭВМ 7, под управлением которой (в камере 12) производится выращивание монокристал...

2184803

Устройство для выращивания кристаллов

Изобретение относится к области выращивания тугоплавких кристаллов методом Чохральского. В основу технического решения положена задача создания устройства для выращивания кристаллов методом Чохральского, в котором за счет установки внутри расплава в тигле гидродинамической вставки, содержащей внешнюю и внутреннюю части, создания криволинейных каналов и наличия в их нижней части кольцевого...

2191853

Устройство для выращивания кристаллов и способ выращивания кристаллов

Сущность изобретения: устройство для выращивания кристалла содержит кристаллизатор для нахождения в нем запаса расплавленного материала, из которого можно вырастить кристалл, и первое отражающее устройство для приема излучения, направленного вдоль входного пути, и отражения излучения по направлению ко второму отражающему устройству, посредством чего второе отражающее устройство отражает в...

2200776

Способ получения монокристаллов

Изобретение относится к получению монокристаллов диэлектриков и полупроводников направленной кристаллизацией путем вытягивания слитка вверх из расплава и может найти применение в производстве полупроводниковых и электрооптических монокристаллических материалов. Сущность изобретения: способ получения монокристаллов включает вытягивание монокристалла из снабженного отверстием или отверстиями внутрен...

2293146

Способ выращивания кристаллов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области выращивания крупногабаритных монокристаллов с использованием двойного тигля и подпитки расплава исходным материалом. Способ включает нагрев ростового узла с контролем температуры, добавление гранулированной шихты в тигель посредством дозатора, подвод затравки к поверхности расплава, вытягивание вверх вращающегося затравочного кристалла и автоматический контроль диам...

2320791

Способ выращивания монокристаллов с заданным распределением примесей по его длине

Изобретение относится к технике получения монокристаллов полупроводниковых и диэлектрических соединений и их твердых растворов в виде слитка с заданным наперед распределением состава по длине слитка (концентрационно-профилированных слитков) и может найти применение в производстве монокристаллов. Способ включает вытягивание монокристалла 10 из расплава 13 с заданной концентрацией основных компонен...

2402646

C30B15/12 - методы двойного тигля

Патенты в этой категории