Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита
Патент 1345685
Авторы
Классы МПК
Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита
Реферат
Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита с удаленным нарушенным поверхностным слоем в водном растворе соединения щелочного металла при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения точности ориентации граней {110} методом световых фигур, травление осуществляют в 20-50%-ном водном растворе углекислого калия в течение 30-60 мин.