C30B29/16 - оксиды — все патенты категории

Способ получения искусственных цветных камней

Класс 12m, б A8T0PGHOE,ÑÂÈÄÅTÅËÜÑTÂÎ НА ИЗОБРЕТЕНИЕ ОПИСАНИЕ способа получения искусственных цветных камней. К авторскому свидетельству К. P. Беркфельда, заявленному 28 января 193б года (спр. о перв. ¹ 185523). О выдаче авторского свидетельства опубликовано 31 августа 1936 года. Тип. „Печатный Труд . Зак. 6559 вЂ” 400. До сих пор исходным материалом при получении искусственных...

48277

Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов

О П И С А Н И Е 164016 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских социалистических Республик 1 ласс 12п1, 6 12п, 1 Зависимое от авторского свидетельства ¹â€” Заявлено 10Х.1962 г. (№ 777813/22-2) с присоединением заявки №вЂ” ПриоритетвЂ” Опубликовано 30.VII.1964 г, Бюллетень № 14 Дата опубликования описания 10.Х.1964 ИПК С Olf С 01д Государственный комитет по...

164016

Способ выращивания кристаллов окиси магния

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Респуйлик Зависимое от авт. свидетельства № Кл. 12@, 17/06 Заявлено 18.Х.1965 (№ 1032784/22-1) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 09.VJ.1967. Бюллетень № 13 МПК В 01! УДК 669-172.002.2(088.8) комитет по делам иаооретеиий и открытий лри Совете тлииистров СССР Дата опубликования оп...

197525

Способ исправления механических двойников

О П И С А Н И Е 29l874 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Респтблии Зависимое от авт. свидетельства № МПК С 01f 11/00 Заявлено 20.1.1969 (№ 1299625/29-33) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовало 06.1.1971. Бюллетень № 4 Дата опубликования описания 19.II.1971 Комитет по делам изобретений и открытиб при Совете Министров СССР УДК...

291874

Патент ссср 402506

402506 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 21.И.1971 (№ 1676478/23-26) с присоединением заявки ¹ Приоритет Опубликовано 19.Х.1973. Бюллетень ¹ 42 Дата опубликования описания 14.III.1974 М. Кл. С Olb 29/00 В Olj 17/04 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам иэооретений и открытий УДК 546.8...

402506

Способ получения монокристаллов двуокиси урана

1. Способ получения монокристаллов двуокиси урана электролизом расплавленных солей хлоридов щелочных металлов и хлорида уранила, отличающийся тем, что, с целью получения крупных хорошо ограненных кристаллов, в расплав вводят добавки четырехвалентного урана и фтора в весовом отношении 7 - 10. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при использовании микрокатода площадь не бол...

421229

Патент ссср 429838

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЫ:ТВУ (ii) 429838 Союз Советских Социалистических Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 02.06.72 (21) 1792462/23-26 с присоединением заявки № (32) Приоритет Опубликовано 30,05.74. Бюллетень № 20 Дата опубликования описания 11.11.74 (51) М. Кл. В Olj 17/06 С Olg 23/04 Государственный комите1 Совета Министров...

429838

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом вернейля

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по в...

778363

Формообразователь для выращивания монокристаллических лент тугоплавких окислов

ФОРМООБРАЗОВАТЕЛЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛЙЧ1?СКИХ ЛЕНТ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ,включающий две симметрично расположенные пластины из тугоплавкого металла с капиллярным зазором между ними, отличающ и и с я тем, что, -с цель*?' улучшения структурного совершенства получаемых лент, верхние торцы пластин со стороны капиллярного зазора выполнены со cKocaivm под углом. 10-40 к вертикальн...

839324

Способ выращивания монокристаллов иодата лития

Способ выращивания монокристаллов иодата лития путем изотермического испарения водного раствора, содержащего добавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности и лучевой стойкости монокристаллов, в качестве добавки берут трилон Б в количестве 0,1-0,5 мас.%.

1290762

Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита

Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита с удаленным нарушенным поверхностным слоем в водном растворе соединения щелочного металла при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения точности ориентации граней {110} методом световых фигур, травление осуществляют в 20-50%-ном водном растворе углекислого калия в течение 30-60 мин.

1345685

Селективный травитель для граней {110} кристаллов парателлурита

Селективный травитель для граней {110} кристаллов парателлурита, содержащий углекислую соль щелочного металла и воду, отличающийся тем, что, с целью упрощения и сокращения времени травления, в качестве соли травитель содержит углекислый натрий и дополнительно гидроокись калия при следующем соотношении компонентов, мас.%: Углекислый натрий - 2-5 Гидроокись калия - 10-20 Вода - Остальное

1445280

Способ получения пленок n @ о @

Изобретение относится к росту кристаллов, конкретно - к получению эпитаксиальных пленок оксидов металлов, обладающих стабильностью термоэлектрических свойств при высоких температурах, и позволяет повысить термическую устойчивость пленок за счет улучшения их структуры до эпитаксиальной. Ниобий испаряют в атмосфере кислорода при давлении 1.10<SP POS="POST">-5</SP> - 3.10...

1490167

Шихта для выращивания монокристаллов оксида бериллия

Шихта для выращивания монокристаллов оксида бериллия из раствора-расплава, содержащая соединение бериллия и в качестве растворителя V2O5 и PbF2, отличающаяся тем, что, с целью повышения скорости роста и выхода монокристаллов изометрической формы, в качестве соединения бериллия шихта содержит смесь Be(OH)2 и BeСО3, взятых в соотношении, мас.%: Be(OH)2 - 66,7 - 71,5 BeСО3 - 28,5 - 33,3 и в...

1529777

Способ получения люминесцирующей кристаллической окиси цинка

Изобретение относится к химической промышленности, в частности к способу получения кристаллической окиси цинка, которая может быть использована при производстве люминофоров, в электрофотографии, для приготовления пигментов и композиций. Цель изобретения - повышение интенсивности люминесценции. Окись цинка обрабатывают в парах воды при 380-450°С и давлении 100-300 атм в присутс...

1560644

Кристаллический оптический материал

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, в частности к твердофазному сращиванию оптических кристаллов, может быть использовано в оптике и обеспечивает повышение величины двулучепреломления. Оптически одноосные кристаллы соединяют друг с другом твердофазным сращиванием. Кристаллы разориентированы относительно друг друга с разворотом их оптических осей относительно границы ср...

1594221

Способ обработки монокристаллов оксида цинка

Изобретение относится к получению специальных материалов электронной техники и может быть использовано в оптои акустоэлектронике при создании ультрафиолетовых твердотельных лазеров, люминофоров и т.д. Цель изобретения - улучшение поверхностного высокоомного слоя регулируемой толщины в пределах 0,5-80 мкм и увеличение интенсивности экситонной и желто-оранжевой люминесценции. Способ...

1606541

Способ получения монокристаллов оксида сурьмы

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов оксидов сурьмы и может быть использовано в акустооптике и как композиционный материал для создания сверхпроводящих материалов. Цель изобретения - повышение выхода монокристаллов SbzOa кубической модификации Процесс ведут из водного раствора НМОз и Hz02 концентрацией 10-14 и 4-6 мае % соответственно при 150-180°С,...

1641900

Способ получения монокристаллов оксида цинка для лазеров

Изобретение относится к получению монокристаллов оксида цинка гидротермальным методом и может быть использовано в оптоэлектронике при создании твердотельных лазеров, излучающих в ультрафиолетовой и фиолетовой областях спектра и используемых в системах передачи информации, в вычислительной технике и на телевидении. Обеспечивает увеличение интенсивности экситон-фононной люминесценци...

1668495

Способ получения окрашенных монокристаллов оксида цинка

Изобретение относится к способам окрашенных монокристаллов оксида цинка и может быть использовано в ювелирной промышленности. Обеспечивает получение кристаллов красно-оранжевой окраски и использование их в ювелирных целях. Способ включает гидротермальное выращивание кристалла из щелочного водного раствора исходного оксида цинка в присутствии щелочного металла на затравку, при высо...

1673651

Способ получения диоксида германия тетрагональной модификации

Изобретение относится к гидротермальному способу перекристаллизации диоксида германия тетрагональной модификации (/ Ge02), который может быть использован как исходное сырье для создания композиционных материалов, в пьезотехнике, в частности в резонаторах и фильтрах различного назначения, и в других областях материаловедения. Цель-увеличение выхода продукта и размеров кристаллов....

1682413

Способ плавления оксидов и тигель для его осуществления

Изобретение касается технологии неорганических материалов и может быть использрвано для получения особочистых тугоплавких кристаллов оксидов и стекол. Цель - обеспечить уменьшение загрязнения расплава материалом тигля за счет создания прослойки газа между расплавом и стенками тигля. Способ включает нагрев исходного материала в тигле из твердого электролита при пропускании постоянн...

1713995

Способ получения монокристаллов оксида висмута

Изобретение относится к способам получения монокристаллов оксида висмута и может быть использовано в химической промышленности для создания сверхпроводящих материалов, а также в пьезотехнике и акустооптике. Оно обеспечивает увеличение размеров кристаллов, повышение их выхода и упрощение процесса. Процесс ведут из равносмешанных водных растворов соляной и азотной кислот концентрац...

1723211

Способ получения монокристаллов оксида тантала /у/

Использование: в пьезотехнике и акустооптике для создания сверхпроводящих материалов. Сущность изобретения: монокристаллы Ta20s получают гидротермальным методомхиз водного раствора соляной и азотной кислот при их концентрации 8-11 и 7-10 мас.% соответственно и содержащего твердый оксид тантала. Выращивание ведут при 150-200°С. давлении 20-37 атм, температурном перепаде 20...

1747544

Способ получения монокристаллов рутила

Использование: электронная и ювелирная промышленность. Способ включает приготовление пудры путем распыления раствора соли титана в раствор гидроксида аммония с последующей прокалкой. Для выращивания берут состав, содержащий 75- 85 мас.% фракции 0,3-1,2 мкм с изометрической формой частиц. После выращивания методом Вернейля кристаллы отжигают в атмосфере кислорода и дополнительно о...

1806224

C30B29/16 - оксиды

Патенты в этой категории