Способ выращивания кристаллов окиси магния
Патент 197525
Классы МПК
Способ выращивания кристаллов окиси магния
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Респуйлик
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл. 12@, 17/06
Заявлено 18.Х.1965 (№ 1032784/22-1) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 09.VJ.1967. Бюллетень № 13
МПК В 01!
УДК 669-172.002.2(088.8) комитет по делам иаооретеиий и открытий лри Совете тлииистров
СССР
Дата опубликования описания 18Х11.1967
Авторы изобретения
С. Г. Тресвятский, В. Я. Карпенко и В. Л. ольдштейн
Институт проблем материаловедения АН УССР
Заявитель
СПОСОБ ВЬ!РАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКИСИ МАГНИЯ
Известен способ выращивания кристаллов окиси магния направленной кристаллизацией блока расплава в дуговых печах трехфазного тока, заключающийся в том, что из расплава одновременно поднимают электроды со скоростьь ю 0,1 — 1 ми(и ин.
Предлагаемый способ отличается от известных тем, что в качестве исходного сырья используют магнезию, содержащую не менее
90 вес. % активной окиси магния, в котор ю в процессе гидратации вводят не менее
6 мол. % избыточной воды. При расплавлении шихты наплавляют блок расплава объемом пе менее 0,2 л1-", с отношением высоты к диаметру от 1:2 до 1:1 и перегревают расплав на
20 — 100=С выше температуры плавления окиси магния.
Проведение процесса выращивания кристаллов при указанных условиях дает возможность получать друзы оптически прозрачных металлов 50 лтл длиной и 25 — 30 млт диаметром в количестве 25 — 30 вес. % закристаллизованного блока, Кристаллы могут использоваться в полупроводниковой технике, и в радиоэлектронике и расчетной технике. П рп увеличении масштаба плавки могут быть получены кристаллы больших размеров.
Предмет изобретения
Способ выращивания кристаллов окиси магния в дуговых печах трехфазного тока путем расплавления исходной гидратированной
10 х агпезии с последующей направленной кристаллизацией блока расплава со скоростью перемещения фронта кристаллизации 0,1 — 1 лтл (мин, отличающийся тем, что, с целью получения оптически прозрачных кристаллов уве15 личенных размеров, направленной кристаллизации подвергают перегретый на 20 —:100 С выше температуры плавления блок расплава объемом не менее 0,2 лтз с отношением высоты к диаметру от 1:2 до 1:1, причем в исход20 ную магнезию, содержащую не менее 90 вес.% активной окиси магния, в процессе гидратации вводят не менее б мол. % избыточной воды.