Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов

Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 164016

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских социалистических

Республик

1 ласс 12п1, 6

12п, 1

Зависимое от авторского свидетельства ¹â€”

Заявлено 10Х.1962 г. (№ 777813/22-2) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 30.VII.1964 г, Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 10.Х.1964

ИПК С Olf

С 01д

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

УДК

Авторы изобретения:

Заявитель

Л. А. Сысоев и Я. A. Обуховский

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ

Предмет изобретения

Подписная группа М 42

Для ряда областей современной техники необходимы монокристаллы высокотемпературных окислов: корунда, рутила, окиси магHèÿ, окиси бериллия, а также Mîttокристаллы соединений более сложного состава шпинелей: берилла, андалузита и jp.

Известен способ получения моцокристаллов тугоплавких окислов из расплава, в котором они растворены.

Предложено кристаллизацию монокристаллов тугоплавких простых и сложных окислов вести из многокомпонентных систем на основе криолитов (натриевого, калиевого, литиевого и др.), содержащих либо не содержащих стехиометрический избыток одного из компонентов; Наличие в криолите двух составляющих компонентов — щелочной и кислой— позволяет осуществлять корректировку растворителя, необходимую для получения монокристаллов из материалов, обладающих кислым, щелочным и амфотерным характером.

Предложенный способ обладает следующими преимуществами: он является универсальным, пригодным для получения монокристаллов большого числа простых и сложных окислов и других соединений, растворимых в криолите; выращивание может проводиться при более низких температурах, чем температуры плавления кристаллизуемых соединений; возможно выращивание кристаллов стехиометрического состава; благодаря «безградиентномр> принципу выращивания исключаются термические напряжения в кристаллах и несовершенства кристаллической

5 решетки; возможно выращивание монокристаллов сло>кцых соед|шении; отсутствуloT принципиальные затруднения в получении монокристаллов больших размеров; растворитель не вносит существенных искажений в

N физические и оптические свойства кристаллов; легирующие примеси равномерно распределяются по кристаллу; криолит является технически доступным материалом крупнотоннажного производства, достаточно изу15 ченным в промышленности в качестве растворителя.

Описанное изобретение может быть принято за основу при разработке промышленных способов получения монокристаллов туго20 плавких простых и сложных окислов и других соедипений, растворимых в криолитах для различных областей новой техники (кван— тово-механические генераторы ti усилители), ювелирной промышленности, приборострое25 ния и т. д.

Способ получения монокристаллов туго30 плавких окислов простого и сложного соста164016

Составитель Н, А. Иванова

Редактор В. П. Липатов Техред А. А. Кудрявицкая Корректор О. Б. Тюрина

Заказ 2325)16 Тираж 525 Формат бум. 60X90з>

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2.

«а, на!1ример рутила, корунда, окиси магния, андалузита и других соединений, растворе|немм исходных окислов в солевом расплаве с последующей кристаллизацией их из насыщенного ими расплава, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью получения монокрнсталлов с заданными электрофизическими свойствами, исходные тугоплавкие окислы вначале . подвергают растворению в расплавленном натриевом, калиевом или литиевом криолите, содержащем или не содержащем стехио5 метрический избыток одного из компонентов криолита, а затем выращивают монокристаллы охлаждением расплава,