Способ измерения критической чистоты коэффициента усиления по току и эффективного времени жизни неосновных носителей полупроводниковых триодов

Способ измерения критической чистоты коэффициента усиления по току и эффективного времени жизни неосновных носителей полупроводниковых триодов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Мо l34728

Класс 21а", 71 ссср

ОПИСЛНИК ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Г1одписная группа Л3 89

В. И. Швейкин и К. С. Ржевкин

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОЙ ЧАСТОТЫ

КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ ПО ТОКУ И ЭФФЕКТИВНОГО

ВРЕМЕНИ )КИЗНИ HEGCHOBHblX НОСИТЕЛЕЙ

ПОЛУПРОВОДНИ КОВЫХ ТРИОДОВ

Заявлено 8 апреля 1960 г. за Ке 662189/26 в Комитет по делам изобретений и открв1тий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетенс изобретений>. Ко 1 за 196) г.

Известны способы измерения критической частоты коэффициента усиления по току и эффективного времени жизни HcocHoBHb)x носителей полупроводниковых триодов. Недостаток известных способов заключается в сложности и невысокой точности процесса измерения, В описываемом способе эти недостатки устранены тем, что определяют величину заряда, создаваемого нсосновными носителями в базе в режимах усиления и насыщения при подаче на вход исследуемого триода импульсных сигналов и расчетным путем находят критическую часготу коэффициента усиления — fa и эффективное время жизни неосновных носителей в базе - —,а для устранения ошибок, связанны. . с рскомбинацией носителей, в режиме насыщения запирают коллекторный переход ь момент прекращения тока в цепи эмпттера, На фиг. 1 изображена принципиальная схема измерения заряда в базе, создаваемого неосновными носителями в режиме усиления и насыщения при их вытекании из базы; ца фпг. 2 показано изменение тока базы.

На входные зажимы 1 и 2 подаются прямоугольные импульсы тока

1, с заданной частотой повторения. Длительность импульсов выбрана такой, чтобы все процессы в базе установились. Изменение тока базы Iz показано с учетом постоянных составляющих в результате обратного тока коллекторного перехода и рекомбинационного тока базы.

Площади заштрихованных участков равны между собой и равны величине заряда Q „. Диоды 8 и 4 включены в цепь базы 5 так, что для положительного напряжения тока базы диод 8 открыт, а диод 4 закрыт. Измерительный прибор б, например микроамперметр с малым внутренним сопротивлением, включается последовательно с диодом 4. Источник постоянного тока 7 и сопротивление 8 введены для компенсации обратного тока !„„коллекторного перехода при отсутствнч входного сигнала. № 134728

После прекращения входного импульса дырки, составляющие заряд неосновных носителей в базе за время переходного процесса, вытекают из базы через коллекторный переход. Равное количество электронов, нейтрализующее объемный заряд базы, за то же время вытекает из базы через последовательно включенные диод 4 и измерительный прибор б.

Показания прибора б градуированы в единицах заряда: пр

F где F — частота повторения входного сигнала на зажимах 1, 2;

/„ — показания прибора.

Емкость конденсатора 9 выбирается такой, чтобы он успел разрядиться в течение паузы между входными импульсами. При измерении заряда в режиме насыщения Q„„„ïàðàëëåëüíî нагрузке 10 включается диод 11, который открывается входным импульсом, продифференцированным конденсатором 12 и сопротивлением 18, и шунтирует сопротиьление нагрузки 10. В результате происходит быстрое рассасывание дырок в базе. Емкость конденсатора 12 и сопротивление И дифференцирующей цепи выбираются такой величины, чтобы в течение действия насыщающего импульса диод 11 был закрыт.

Критическая частота fa коэффициента усиления по току при включении полупроводникового триода 14 с общей базой определяется из выражения:

1,21 I,. 2-. Q„

Эффективное время жизни неосновных носителей в базе определяется из выражения: нас

I,1„ где I„-- ток коллектора.

Точность измерения т зависит от степени насьпцения S триода и будет более высокой при $(3.

Предмет изобретения

Способ измерения критической частоты коэффициента усиления по току и эффективного времени жизни неосновных носителей полупроводниковых триодов, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, измерения и повышения точности измерения, определяют величину заряда, создаваемого неосновными носителями в базе в режимах усиления и насыщения при подаче на вход исследуемого триода импульсных сигHÿëîâ и расчетным путем находят fcf, и т, а для устранения ошибок, связанных с рекомбинацией носителей в режиме насыщения, запирают коллекторный переход в момент прекращения тока в цепи эмиттера. № 134728

Формат бум. 70;к,108 /1а

Тираж 750

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

Объем 0 34 усл. и. л.

Цена 5 коз

Поди. и печ. 21 V-61

Зак. 4098

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14

Редактор Н. С Кутафина Техред А. А. Камышникова Корректор С. Ю. Цверина