Швейкин В.И.

  Мо l34728 Класс 21а", 71 ссср ОПИСЛНИК ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Г1одписная группа Л3 89 В. И. Швейкин и К. С. Ржевкин СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОЙ ЧАСТОТЫ КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ ПО ТОКУ И ЭФФЕКТИВНОГО ВРЕМЕНИ )КИЗНИ HEGCHOBHblX НОСИТЕЛЕЙ ПОЛУПРОВОДНИ КОВЫХ ТРИОДОВ Заявлено 8 апреля 1960 г. за Ке 662189/26 в Комитет по делам изобретений и открв1тий при Со...

  Использование: изготовление приемного или передающего оптических модулей для волоконно-оптических линий связи, измерительной технике, медицине и т. д. Сущность изобретения: световод закрепляют перед приемным или излучающим оптоэлектронным элементом на опорной площадке, выполненной из двух секций. На ближней к оптоэлектронному элементу секции световод закрепляют припоем с температурой пла...

 Использование: электронная техника. Сущность изобретения: на подложке А3В5 последовательно осаждают эпитаксиальный слой, слой нелегированного твердого раствора соединения А3B5, слой А3B5 противоположного типа проводимости относительно первого слоя А3В5 и контактный слой, формируют локальные омические контакты и по крайней мере к одной из поверхностей структуры барьерные области, а также о...

 Использование: электронная техника, а именно, конструкция инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности ( 106 Вт/см2) и с ограниченной по размерам излучающей площадкой. Сущность изобретения: по крайней мере на одной из граней резонатора инжекционного лазера выполнено покрытие, состоящее из переходного слоя определенной толщины, примыкающего к основному материалу...

  Использование: в полупроводниковой квантовой электронике, в лазерных и суперлюминесцентных источниках излучения для систем связи, считывания и записи информации, контрольно-измерительной аппаратуре, медицинской техники. Сущность изобретения: в инжекционном лазаре на основе гетероструктуры полупроводниковых соединений AIIIBIV и их твердых растворов с эмиттерными слоями и помещенной между...

 Использование: в оптических компонентах квантовой электроники, в излучающих модулях на полупроводниковых лазерах, полупроводниковых, волоконно-оптических усилителях. Сущность изобретения: оптический изолятор содержит входной и выходной коллимирующие элементы 1, 2 и помещенную между ними невзаимную часть 3, в которую входят первый узел 13, состоящий из двулучепреломляющих клиньев 9, 11 и 4...

 Использование: квантовая электронная техника, а именно высокомощные одномодовые и/или одночастотные высококогерентные источники излучения, которые применяются для накачки твердотельных и волоконных лазеров, для создания лазерных источников излучения в видимой области спектра за счет генерации второй гармоники в нелинейных оптических кристаллах. Сущность изобретения: в интегральном полупро...

 Использование: квантовая электронная техника, а именно, одномодовые и/или одночастотные высококогерентные источники излучения высокой мощности, которые применяются для создания лазерных источников излучения в видимой области спектра. Сущность изобретения: в устройстве полупроводникового лазера, состоящем из полосковой активной области генерации с отражателями оптического резонатора, напри...

 Использование: квантовая электронная техника, а именно, высокомощные одномодовые и/или одночастотные высококогерентные источники излучения, которые используются в системах передачи энергии и информации на большие расстояния, а также при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования. Сущность изобретения: в полупроводниковом оптическом усилителе вывод излучения р...

 Использование: в квантовой электронной технике в качестве высокоярких и высокомощных полупроводниковых инжекционных источников излучения с узкой диаграммой направленности, которые применяются в системах передачи энергии и информации на большие расстояния, в волоконно-оптических системах связи и передачи информации, при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудован...

 Изобретение относится к квантовой электронике. Усилитель состоит из задающего источника входного коллимированного излучения, вводимого при работе усилителя под углом ввода , равном углу падения излучения на поверхность ввода, в усилительный элемент, последний выполнен на основе полупроводниковой лазерной гетероструктуры, расположенной на области ввода-вывода излучения, через которую при р...

 Использование: оптоэлектронная техника, а именно эффективные, мощные, сверхяркие и компактные полупроводниковые диодные источники спонтанного излучения с узкой диаграммой направленности, которые применяются в устройствах отображения информации: световых указателях, светофорных приборах, полноцветных дисплеях, экранах и проекционных бытовых телевизорах; в волоконно-оптических системах связ...

 Использование: квантовая электронная техника, а именно эффективные, высокомощные и компактные полупроводниковые инжекционные источники излучения с узкой диаграммой направленности, которые применяются в волоконно-оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах, при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологичес...

 Использование: в волоконно-оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах, в медицинской аппаратуре, в конструкциях лазеров. Изобретение состоит в модернизации гетероструктуры полупроводникового усилительного элемента, в комплексном подборе составов и толщин слоев гетероструктуры, обеспечивающих работу в узкой переход...

 Использование: в волоконно-оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах, в медицинской аппаратуре, в конструкциях лазеров. Сущность изобретения: существенное отличие предложенного инжекционного лазера состоит в модернизации его гетероструктуры, в комплексном подборе составов и толщин ее слоев, обеспечивающих ее рабо...

 Использование: для создания инжекционных источников излучения, которые применяются в волоконно-оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах, в медицинской аппаратуре. Сущность изобретения: существенное отличие предложенной гетероструктуры инжекционного лазера состоит в модернизации его гетероструктуры, в комплексном...