Способ просветления оптических элементов из селенида цинка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобрегение относится к ПК-технике и может быть использовано при изготовлении элементов проходной оптики для среднего диапазона ИК-излучения. С целью повышения пропускания в диапазоне длин волн 2,5-11 мкм отжиг оптических элементов из селеиида цинка проводят при 490-510 С в течение 5-60 мин с одновременной обработкой ультрафиолетовыми лучами с длимой волны 0,24-0,4 мкм и плотностью 0,03- 1,0 Вт/см . Обработанные элементы имеют пропускание 97,5-99% п интервале длин волн 2,5-11 мкм. (Л d 00 4 СО СП N; со

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СООИАЛИСТИЧЕСИИХ

РЕ.ЛУБ ЛИК

09) <10

А1 (51)5 G 02 В t/12 Г ОЗ С g)ypg

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 07.03.93. Бюл. ¹ 9 (21) 4071551/33 (22) 04.03.86

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (72) Ю.А.Загоруйко, В.К.Комарь, В.Ю.Росторгуевя и В.Н.Кривовеин (56) Авторское свидетельство СССР и 156278, кл. С 03 В 25/04, 1962.

Авторское свидетел ство СССР

Ф 970292, кл. С 02 В !/10 1982. (54) СПОСОБ ПРОСВЕТЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ

ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ СЕЛЕН!1ЛА ЦИНКА (57) Изобре гение относится к ЦК-технике и момет быть испольэонано при иэгoTQBJlE íèè элементов проходной оптики для среднего диапазона ИК--излучения. С целью повышения пропускания в диапазоне длин волн 2,5-11 мкм отжиг оптических элементов из селенида

0 цинка проводят при 490-510 С в течение 5-60 мин с одновременной обработкой ультраАиолетовнмн лучами с длиной волны 0,24-0,4 мкм и плотностью 0,05l,0 Вт/см . Обработанные элементы имеют пропускание 97,5-997. я интервале длин волн 2,5-11 мкм.

1349543

10 чения

II бр< гv>III< отн сит< я к инфракраси i! < >II . > тех>п>ке и мс.>.eT I».ITs исполь«па><о при изготовлении элементов прок д <>й птики дня среднегo диапазона

II>, -и (чу <е>(ин, н частности выходных о>он СО -даnepnI>, при эксплуатации их в .><в<.тк»х температурных режимах и в гложных климатических условиях.

Целью изобретения является повнше-. ни". ко:>ффициента пропускания в диапазо><е длин полн 2,5-11 мкм.Способ вк II<> IAeT oT>I<>ll nnT>l ecb>Ix элементов

О при температуре 490-510 С с одновре- . ма>иш >и < бл учением ультрафиолетовыми

lIy

5-60 ми,> и п<эспедую>цап охлаждение до к<.мна.гной температуры.

Возл< йствие УФ-облучения в процессе тпрм >обработки приводит к положительному эффекту вследствие того, что излучение УФ-диапазона эффективно поглощаеTcfl в î <ень тонкой приповерхно .твой области данного полупроводникового материала и увеличивает адсорбционные свойства поверхности крисTалла. Кроме того, воздействуя на воздух, Г кг>тором находится пс(двергае>(<>A TepsnoIJpA5;>TIниации >«>. I(.-кул кислорода на атомы, чг- так>к<> приводит к более активному (>< ><Г Jl(ИЮ ПО>> < РХ НОС ГИ ОПТИЧ Е(КОГО

- л .мент; > нз r слепила пинка и образова»и> Ilа нг и плотной и однор<>дной по

<-n< т<и>у и толщин» пкисной пленки 7пО, что и приводит к у»еличенин пропуск. I > I г о .> л Г м е н т а R ди а и аЗ >I«- дПИН Подп ",5-1 1 МКМ. ПрИМЕНЕпи» .тжига при одновремс ннпм»оздействии "Ф-обпученпя упели

nf pA n>IAIlvя оки< >(ой пленки, что поэп<эпя< т гуще< T>I< III«> уме>(ьп>ить продол><<;IтРп1 Hnc T b о1 (<и ГB. R РР 3 YJ ЬTATe з тоr<> и удас гся достичь и< Гтаппенной цели -. получить nfдемеHtbl с пон> и«< иным п(>о»ус >

J>II@II I>nJ»I ?,5-11 мкм без увеличения их кп <Ä1»ill>le>ITA поглощения ИК-излуПример 1. Оптический элемент из кристаллического 7пЯе диаметром

20 мм и толщи«ой 4 мм с коэффициенто>< поглощения 6 =0,02 +257. см помеIIй 510 С и от киган>т в течение

30 мин. Одног(ременно с отжигом оптискую поверхность элемента облучают

УФ-и.>лу

После охлаждения измеряют спектр пропускания оптического элемента. Максимальное значение пропускания получается на длине волны 5,5 мкм и сос» тавляет 98,87.. Коэффициент поглощения элемента на длине волны ИК-излучения 10,6 мкм после отжига составляет 0,02 см

П р и и е р 2, Оптический элемент, О как в примере 1, отжигают при 500 С в течение 30 мин при одновременном облучении оптической поверхности элемента УФ-излучением с длиной волны

0,2537 мкм и плотностью на поверхности образца 0,4 Вт/см, после чего оптический элемент охлаждают на воздухе до комнатной температуры.

После охлаждения измеряют спектр пропускания оптического элемента.

Максимальное пропускание получается на длине волны 2,5 мкм и составляет

98,07.. Коэффициент поглощения на дли. не волны 10,6 мкм составляет P =0,02+ — 1

+257 см (как до отжига, так и после) .

Пример 3. Оптический элемент, О как в примере 1, отжигают при 490 С в течение 5 мин при одновременном облучении оптической поверхности элемента УФ-излучением с длиной волны

0,3 мкм и плотностью излучения на поверхности образца 1,0 Вт/см, после чего оптический элемент охлаждают на воздухе до комнатной температуры.

После охлаждения изменяют спектр пропускания оптического элемента.

Максимальное значение пропускания полу .ается на длине волны 2,5 мкм составляет 98,07,. Коэффициент поГлощения элемента на длине волны

10,6 мкм до отжига и после него составлгет P =-0,01+ 257 см

Пример 4. Оптический элемент, о как в примере 1, отжигант при 490 С в течение 60 мин при одновременном облучении УФ-излучением с длиной волны 0,4 мкм и плотностью излучения на поверхности оптического элемента

0,05 Вт/см, после чего элемент охлаждают на воздухе до комнатной температуры.

Измеряют спек- р пропускання оптического элемен>а. Максима >ьное значе1349543

Составитель О.Самохина

Редактор Е.Зубиетова Техред Л.Сердюкова Корректор М.Шароши й

Заказ 1955

Тирам Подписное

ВВИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Прое!!-,ная, 4 ние пропускання получается на длине волны 3 мки и составляет 98,8Х. Коэффициент поглощения на длине волны

10,6 мкм до отжига и после отжнга сос-! 5 тавляет P0,01+25Õ см

П р и и е р 5. Оптический элемент, как в примере 1, отжигают.при 500 С в течение 15 мин прн одновременном облучении оптической поверхности эле- 1п мента УФ-излучением с длиной волны

0,24 мки и плотностью на поверхности . образца 0,4 Вт/си, после чего оптический эЛеиент охлаждают на воздухе до комнатной температуры. 15

П .р и и е р 6. Оптический элемент, а как в примере 1, отжигают при 500 С в течение 15 иин при одновременном облучении оптической поверхности эле мента УФ-излучением с длиной волны

0,4 икм и плотностью излучения иа по" верхности образца 0,4 Вт/си, .после чего оптический элемент охлалдают на воздухе до комнатной температуры.

После охлаждения измеряют спектры пропускания образцов. Максимальное значение пропускания образцов из примеров 5 и 6 получается на длине волны

2,5 мки н составляет 98,0Х.. Коэффициент поглощения образцов на длине вол-! ны 10,6 икм составляет / 0,02+ 25Х си (как до отжига, так и после него).

Формула Изобретения

Способ просветления оптических элементов из селенида цинка путем от кига в воздушной атмосфере при 490510 С и охлаждения до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента пропускания в диапазоне длин волн 2,5-11 мки, отжиг ведут с одновременной обработкой ультрафиолетовыми лучами с длиной волны 0,24-0,4 икч и плотностью 0,05-1 Вт/см в течение

5-60 мин.