КОМАРЬ В.К.

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А"-В^' п-типа путем нанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кислородсодержащей среде, отличающийс я тем, что, с целью повышения механической прочности контакта, на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190-220°С в...

  Изобрегение относится к ПК-технике и может быть использовано при изготовлении элементов проходной оптики для среднего диапазона ИК-излучения. С целью повышения пропускания в диапазоне длин волн 2,5-11 мкм отжиг оптических элементов из селеиида цинка проводят при 490-510 С в течение 5-60 мин с одновременной обработкой ультрафиолетовыми лучами с длимой волны 0,24-0,4 мкм и плотност...

  Изобретение касается .выращивания Кристаллов соединений А- В . Цель - улучшение оптических характеристик кристаллов за счет снижения содержания примеси кислорода. В графитовый тигель загружают исходную загрузку и навеску тиокарбамида или селенокарбамида. в случае сульфидов и селенидов соответственно. Ростовую камеру герметизируют, вакуумируют и заполняют аргоном. Включают нагрев,...

  Изобретение относится к лазерной технике , в частности к способам получения кристаллов для изготовления оптических элементов С02-лазеров, и может найти применение в химической промышленности при выращивании кристаллов селенида цинка. Способ позволяет улучшить оптические характеристики кристаллов за счет снижения в них содержания примесных элементов . Исходный селенид цинка предва...

  Изобретение относится к способам выращивания кристаллов сульфида кадмия методом направленной кристаллизации, изделия из которых применяются в акустоэлектронике, пьезотехнике оптической и электронной технике, и может быть использовано в химической промышленности при получении кристаллов соединений . Цель изобретения - повышение объемной однородности электрических свойств кристалло...