Способ контроля качества резисторов

Способ контроля качества резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологическому процессу изготовления толстопленочных схем. Цель изобретения - повьшение надежности за счет учета способа изготовления резистора . Для этого в способе измеряют микротвердости резистивного слоя, нанесенного на керамическую подложку и на проводник, и по их относительному изменению в пределах 10% определяют степень качества. О5 СП со

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН цр 4 G 01 N 3/42

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Qg5g rФ" - - «А

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4095361/25-28 (22) 11.06.86 (46) 15.12.87. Бюл. № 46 (71) Одесский государственный университет им.И.И.Мечникова (72) О.П.Канчуковский, Л.В.Мороз, Н.В.Комарова, Н.Н.Садова и А. С.Мирошниченко (53) 620.178 (088.8) (56) .Гребенкина В.Г. и др. Толстопленочная микроэлектроника. Киев, Наукова думка, 1983, с.68.

„.Я0„„1359715 А1 (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА РЕЗИСТОРОВ (57) Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к е технологическому процессу изготовления толстопленочных схем. Цель изобретения — повышение надежности за счет учета способа изготовления резистора. Для этого в способе измеряют микротвердости резистивного слоя, нанесенного на керамическую подложку и на проводник, и по их относительному изменению в пределах 10Х определяют степень качества.

9715 пересчитывают число микротвердости по Виккерсу (HV<). Например, НЧ =68,2.После этого вычисляют относи1

5 тельное изменение микротвердости реФ зистивного слоя, обусловленное разец в исходное положение под объекСпособ контроля качества резистотив микроскопа и измеряют диагонали ров, заключающийся в том, что измеотпечатка. ряют параметры, по которым определяВычислив среднюю длину диагонали ют степень качества резисторов, о т— отпечатка л и ч а ю шийся тем, что, с

+ т

cl

2 целью повьппения надежности за счет

Ч учета способа изготовления резистопересчитывают ее на число микротвер- 45 ра, в качестве параметров измеряют дости по Виккерсу. Например, HV = микротвердости резистивного слоя, =64,?.На резистивном слое, нанесен- нанесенного на керамическую подложку, ном на поверхность керамической под- и на проводник, и определяют степень ложки, повторяют измерения. Вычислив качества по относительному изменению среднюю длину диагонали отпечатка, 50 микротвердостей в пределах 10Х.

Составитель В.Шиманская

Редактор М.Васильева Техред M. Ходанич Корректор Л.Патай

Тираж 776

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, R-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 6149/46

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

1 135

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологическому процессу изготовления гибо ридных толстопленочных микросхем.

Цель изобретения — повышение надежности за счет учета способа изготовления резистора.

Пример. Для контроля качества толстопленочных резисторов с со-. противлением 100 к0м устанавливают образец в держатели на столике прибора типа IIMT-3 так, чтобы его поверхность была параллельна плоскости столика. Установленный образец просматривают через окуляр и выбирают на резистивном слое участок в средней части области пленочного межсоединения резистивного слоя с проводником, в котором проводят измерение микротвердости по Виккерсу.

Выбранный участок размещают в середине поля зрения микроскопа — точно в вершине угла неподвижной сетки.

Затем устанавливают груз массой 40 r и поворачивают с помощью ручки стоо лика на 180 (от одного упора до другого) для подведения выбранного участка образца под алмазную пирамиду. После этого медленным поворотом ручки на 180 в течение 30 с опускают шток с алмазной пирамидкой так, чтобы алмаз коснулся образца.

В этом положении выдерживают образец под нагрузкой в течение 10 с, после чего поднимают шток с алмазом.

Поворотом столика возвращают обHV - HV;

3НЧ = --" -- — -- - 100

НЧ

В данном случае 3НЧ = 5,1Х.

В результате исследований установлено, что относительное изменение . микротвердости связано с кинетикой старения резистивных элементов при хранении и тем более при эксплуата15 ции под нагрузкой в условиях повышенных температур.

Чем меньше относительное изменение микротвердости, тем выше качество сформированного пленочного резистивного элемента, тем менее он склонен к деградации с течением времени, тем вьппе его параметр рическая стабильность.

У образцов относительное изменение микротвердости после контроля составляло 1, 2, 5, 10Х и практически не изменялось в течение 12 месяцев, а также после их коррозионных

30 испытаний и испытаний под нагрузкой, т.е. параметры образцов стабильны.

У образцов с относительным изменением микротвердости больше 10Х наблюдалось значительное изменение их характеристик.

Формула изобретения