Устройство для регистрации магнитных полей рассеяния

Устройство для регистрации магнитных полей рассеяния

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к дефектометрии и может быть использовано для регистрации магнитных полей рассеяния . Изобретение позволяет повысить информативность неразрушающего контроля изделий при измерении геометрических параметров дефектов. Это достигается путем сканирования поверхности контролируемого объекта магниточувствительным элементом. Устройство для регистрации магнитных полей рассеяния содержит магниточувствительный элемент 1, закрепленный в корпусе 2. В нижней части корпуса закреплена пластина 3 из магнитомягкого материала. Верхняя часть пластины находится в поле действия соленоида 4. Устройство размещают на поверхности контролируемого объекта 5 с дефектом 6, обусловливаюпшм возникновение магнитных полей рассеяния. Для повышения чувствительности в устройство дополнительно введены параллельно соединенные соленоиды. Магниточувствительный элемент 1 и соленоиды 4 соединены с электронными блока-ми питания 7, измерения 8 и блоком сравнения - памяти 9. 2 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1390583 А 2 (51) 4 О 01 R 33/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ:

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (61) 920590 (21) 3997249/24-21 (22) 29.12.85 (46) 23.04.88. Бюл. М- 15 (71) Институт прикладной физики

АН БССР (72) В.В. Кожаринов, В.Г. Горбаш, И.В. Кожаринова и А.К. Шилак (53) 621.317.44(088.8) (56) Афанасьев О.В. Феррозонды. Л.:

"Энергия", 1969, с. 5-12.

Авторское свидетельство СССР

М 920590, кл. G 01 R 33/02, 1980. (54) УСТРОЙСТВО ЛЛЯ РЕГИСТРАЦИИ МАГ—

НИТНЫХ ПОЛЕЙ РАССЕЯНИЯ (57) Изобретение относится к дефектометрии и может быть использовано для регистрации магнитных полей рассеяния. Изобретение позволяет повысить информативность неразрушающего контроля изделий при измерении геометрических параметров дефектов. Это достигается путем сканирования поверхности контролируемого объекта магниточувствительным элементом, Устройство для регистрации магнитных полей рассеяния содержит магниточувствительный элемент 1, закрепленный в корпусе 2. В нижней части корпуса закреплена пластина 3 из магнитомягкого материала. Верхняя часть пластины находится в поле действия соленоида 4. Устройство размещают на поверхности контролируемого объекта

5 с дефектом 6, обусловливающим возникновение магнитных полей рассеяния, Для повышения чувствительности в устройство дополнительно введены параллельно соединенные соленоиды. Магниточувствительный элемент 1 и соленоиды 4 соединены с электронными блоками питания 7, измерения 8 и блоком сравнения — памяти 9. 2 ил.

1390583

Изобретение относится к дефектометрии и может быть использовано для регистрации магнитных полей рассеяния.

Цель изобретения — повышение чув5 с.твительности.

На фиг. 1 представлено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг.2 кривые зависимостей сигнала от тока подмагничивания.

Устройство (фиг.1) содержит магниточувствительный элемент (ИЧЭ) 1, закрепленный в корпусе 2, в нижней части которого с помощью микровинтов крепятся пластины 3 из магнитомягкого материала. Верхняя часть пластин 3 находится в поле действия соленоида 4. Устройство располагают на поверхности контролируемого объекта

5 с дефектами 6, обуславливающими íà- 20 личие магнитньгх полей рассеяния. ИЧЭ

1 и соленоид 4 соединены с электронными блоками питания 7, измерения 8 и сравнения — памяти 9.

Устройство работает следующим образом.

После нахождения участка поверхности контролируемого объекта 5, соответствующего максимальному сигналу

ИЧЭ 1 (в магнитном поле рассеяния дефекта 6), помещают верхнюю часть пластин 3 в магнитное поле соленоида 4,в котором изменяют ток подмагничивания с прмощью блока 7 питания и фиксируют с помощью блока 8 измерения кривую зависимость сигнала ИЧЭ 1 от

35 тока подмагничивания соленоида 4 (фиг ° 2). Поскольку магнитная проницаемость р пластины 3 иэ магнитомягкого материала очень сильно и в широких пределах зависит от поля подмагничивания, вызванного как магнитным полем рассеяния дефектов, так и магнитным полем соленоида 4, то и ход кривой зависимости сигнала ИЧЭ

1 от тока подмагничивания соленоида 4 будет для дефекта 6 с различной геометрией различным. Причем начальное положение кривой по оси ординат (фиг. 2) в основном определяется шириной дефекта (экспериментальные исследования показали сильную зависимость сигнала ИЧЭ 1 от ширины Ь модельного дефекта,(прямоугольного паза) и слабую зависимость от глубины

h — особенно, когда отношение глуби55 ны к ширине больше 5. При дополнительном подмагничивании верхней части пластины 3 с помощью магнитного поля соленоида 4 магнитная проницаемость пластины (р„) возрастает, в результате чего возрастает плотность магнитных зарядов на боковой поверхности пластины 3,4 „, что в определенном диапазоне (до максимума г„) повышает усиление магнитного поля рассеяния дефекта 6. Кроме того, при незначительном общем поле подмагничивания соленоида имеет место (опять иэ-за резкого роста р„) значительное возрастание нормальной (по отношению к поверхности контролируемого объекта 5) составляющей магнитного поля в объекте 5 (из условия непрерывности р„Н„„= р Н„, где Н „„ нормальная составляющая поля концентратора, обусловленная в целом магнитным полем соленоида; г — магнитная проницаемость объекта — величина малая по сравнению с р „

Н вЂ” нормальная к поверхности контп,î ролируемого объекта 5 составляющая магнитного поля). Значительное возрастание Н, приводит к тому, что

I имеет место увеличение плотности магнитного заряда (определяемой нормальной к боковой поверхности дефекта 6 составляющей магнитного поля) у дна дефекта (замыкание силовых линий происходит в основном у дна дефекта), что приводит к увеличению вклада этого участка дефекта 6 в общий сигнал

ИЧЭ 1 и приводит к.дифференциации дефектов 6 по глубине, т.е. к увеличению разности сигнала ИЧЭ 1 от дефектов различной глубины, тем самым повышается чувствительность устройства по определению глубины дефекта.

Формула изобретения

Устройство для регистрации магнитных полей рассеяния по авт,св.11 920590, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повьппения чувствительности, в него введены параллельно соединенные соленоиды, охватывающие верхнюю часть пластин-концентраторов, подключенные через блок питания к блоку измерения.

1390583

500

Ô5 60 пОдРУ pter

Фиа 2

Составитель Л. Устинова

Техред М.Ходанич

Редактор Н. Рогулич

Корректор В, Бутяга

Заказ 1764/45

Тираж 772

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4