Шихта керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов

Шихта керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам шихты керамических диэлектриков , и может быть использовано при изготовлении высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов. Для повьшения диэлектрической проницаемости и удельного объемного электрического сопротивления керамики при повьшенных температурах шихта . керамического материала содержит дополнительно при следующем соотношении компонентов, мас.%: SrTiO 46,7-57,9, CaTiO 28,0-51,25 2,0-14,0 и МпСО, 0,05-010. Полученный при 1240-1300°С материал имеет следующие характеристики; 225-240, при 155°С 2« кВ/мм. 2 табл. следующие Ас1рак1ери tg xlO 2-4t PV 5(1 о ом.см; Епр 10

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСМОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4243476/29-33 (22) 08.05.87 (46) 23.12.88. Бюл. ¹ 47 (72) Л.А. Голубцова, В.С. Костомаров и В, ° В. Самойлов (53) 666.638(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 533575, кл. С 04 В 35/46, 1976.

Авторское свидетельство СССР № 1174413, кл. С 04 В 35/46, 1985. (54) ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА

ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ТЕРМОКОМПЕНСИРУЮЩИХ КОНДЕНСАТОРОВ (57) Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам шихты керамических диэле„„SU,» 144 1 0 А1 (51) 4 С 04 В 35/46, Н О! G 4/12 ктриков, и может быть использовано при изготовлении высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов.

Для повышения диэлектрической проницаемости и удельного объемного электрического сопротивления керамики при повышенных температурах шихта керамического материала содержит дополнительно Nb О при следующем соотношении компонентов, мас.Е: SrTiO>

46,7-57,9, Сат О, 28,0-51,25: Ньтоз

2,0-14,0 и NnC0> 0,05-01 0. Полученный при 1240-1300 С материал имеет следующие характеристики: Я 225-240, tgP xl0 2 4, ч при 155 С 2» х! 0 ом. см, Е „1 0 кВ/мм. 2 табл.

1446130

Таблица !

Содержание компонентов, мас.7

Г" " Т

Состав

mb О МпСО, SrTiO>

57,9 28,0 14,0 О,!

39,62 8,0

0,08

52,3

46,7 51,25

2,0

0,05

Таблица 2

Е „Потери массы

ГЧ1 кВ/мм при обжиге, 7.

tgtx104

Р» ÎÌ ° CM при

155 С

Состав

2-10

2 10

2,5-3

240 2-4

232 2-4

225 2-4

190-220 2-4

3-4

1О

2 10

2 1О

4-5

10-15

8 — 10

Известный

Вt! !И!!И Заказ 6704/29 Тираж 594 Подписное!!роизя-полигр. пр-тие, r. Ужгород, ул. Проектная,.:4

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков и может быть использовано при изготовлении высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов.

Цель изобретения — повышение диэлектрической проницаемости и удель ного объемного электрического сопротивления керамики при повышенных температурах.

Шихту керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих материалов получают следующим образом.

Предварительно известным в керамическом производстве образом получают спеки титаната кальция и титаната стронция, которые синтезируют при 1220о

1300 С, а затем измельчают до удель- ной поверхности 4000-5000 см /r. Измельченные спеки, взятые в заданном соотношении смешивают с требуемым количеством углекислого марганца и оксида ниобия, измельчают до удельной поверхности 5000-10000 см /r и исполь1 зу|от для получения диэлектрика конден. саторов по принятой в керамическом конденсаторостроении технологии, например по пленочной технологии с обжигом заготовок конденсаторов при 12401300 С.

В табл. 1 приведены составы шихты! табл. 2 — электрофизические характе® ристики получаемой из шихты керамики.

Формула и з о б р е т е н и я

Шихта керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов, включающая SrTiO>, CaTiO>, MnCO> и добавку, о т л и ч аю щ а я с я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости и удельного объемного электрического сопротивления керамики при повышенных температурах, она содержит в качестве добавки Nb 0 при следующем соотношении компонентов, мас.7.:

StTiO@ 46,7-57,9

25 СаТ Оз 28,0-51,25

МпСО з 0,05-0,10

ИЬ О 2-14