ГОЛУБЦОВА ЛИДИЯ АЛЕКСАНДРОВНА

  ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА, включающая титанат бария , пятиокись ниоби . I, окись диспрозия, окись иттерби; и углекислый марганец, о т л ич .. ю щ а я с я тем, что, с целый увеличения диэлектрической проницаемости , удельного объемного сопротивления и уменьшения тангенса-угла диэлектрических потерь, она дополнительно содержит окись празеодима и двуокись...

  СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий BaTiO Се02 или его концен трат, .о тличающийс я тем, что, с целью увеличения диэлектрической проницаемости и уменьшения тангенса угла диэлектрических потерь, он дополнительно содержит МпО при следующем соотношении исходных компонентов, мае.% 93,6-97,5 BaTiO Nb,0 0,6-2,0 или его концентрат СеО-, 0,3-1,5 0,3-1,6 въгОэ Ti02 0,2-...

  ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, преимущественно для изготовления высокочастотных термостабильных конденсаторов, включающий TiO, ВаО, ,, АЦО,, о тл и ч а ю щ и и с я. тем, что, с целью снижения трудозатрат при изготовлении материала, повышения его электрической прочности и стабильности температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит . пр...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „„Я0„„44129 (5}} 4 С 04 В 35 0 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АBTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3816586/29-33 (22) 27. 11.84 . (46) 15.07.86. Бюл. № 26 (72) И.Г. Бертош, Л.А. Голубцова, З.M. Горонович, Л.А. Соловьева, Ф.М. Суслина, Н.A. Андреева, В.И. Жуковский, Б.А. Ратенберг и Т.А....

  Изобретение относится к электронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления термокомпенсирующих высокочастотных конденсаторов с повьшенной удельной емкостью. Целью изобретения является расвшрение шкалы ТК и повышение диэлектрической проницаемости керамики и удельной емкости конденсаторов. Это достигается в результате т...

  Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов . Целью является повышение диэлектрической проницаемости () и снижение температуры спекания.Цель достигается за счет следующего соотношения компонентов, мас.%: 37,09 - 63,80 NaNbO,; 21,82-34,82 SrNbjOg; 12,33-27,00 CaTiO,; 0,99-1,96 ZrO и 0...

  Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам шихты керамических диэлектриков , и может быть использовано при изготовлении высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов. Для повьшения диэлектрической проницаемости и удельного объемного электрического сопротивления керамики при повьшенных температурах шихта . керамического материала содержит дополнит...

  Использование: получение керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов. Сущность изобретения: шихта содержит 47-59,48 мас.% СаТЮз, 38.40-45,80 мас.% ЗгТЮз, 2-7 мас.% NbzOs и 0,12-0,2 мас.% МпСОз. Положительный эффект: температурный коэффициент диэлектрической проницаемости снижен на 15-20%, себестоимость - на 30-35%. выход годных изделий повышен на...